STF5N62K3 STMicroelectronics
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| 1+ | 5.02 EUR |
| 10+ | 3.24 EUR |
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| 500+ | 2.01 EUR |
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Technische Details STF5N62K3 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STF5N62K3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 620 V, 4.2 A, 1.28 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 620V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.28ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STF5N62K3
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Preis |
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STF5N62K3 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - STF5N62K3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 620 V, 4.2 A, 1.28 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 620V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.28ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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| STF5N62K3 | Hersteller : STMicroelectronics |
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STF5N62K3 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 620V 4.2A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.1A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 50 V |
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| STF5N62K3 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 620V; 4.2A; Idm: 16.8A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 620V Drain current: 4.2A Pulsed drain current: 16.8A Power dissipation: 25W Case: TO220FP On-state resistance: 1.6Ω Mounting: THT Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V |
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