STF5NK100Z STMicroelectronics
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Technische Details STF5NK100Z STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STF5NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.75 A, 2.7 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 30V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote STF5NK100Z nach Preis ab 1.66 EUR bis 6.86 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||||
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STF5NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 1KV 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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STF5NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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STF5NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolar; 1000V; 2.2A; 30W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMESH3™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 2.2A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.7Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STF5NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolar; 1000V; 2.2A; 30W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMESH3™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 2.2A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.7Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
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STF5NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 1000 Volt 3.5A Zener SuperMESH |
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STF5NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 1000V 3.5A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 1.75A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1154 pF @ 25 V |
auf Bestellung 9338 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STF5NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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STF5NK100Z | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STF5NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.75 A, 2.7 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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STF5NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 425 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STF5NK100Z | Hersteller : ST |
N-MOSFET 3.5A 1000V 30W 3.7Ω STF5NK100Z TSTF5NK100z Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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