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STF6N60M2

stf6n60m2.pdf
Produktcode: 155644
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Hersteller: ST
Gehäuse: TO-220FP
Drain-Source-Spannung Uds, V: 650 V
Drain-Strom Idd, A: 4,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 232/8
auf Bestellung 19 St.:
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STF6N60M2 STF6N60M2 STMicroelectronics en.DM00087510.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 232 pF @ 100 V
auf Bestellung 1744 Stücke:
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6+3.75 EUR
50+1.81 EUR
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STF6N60M2 STF6N60M2 STMicroelectronics en.DM00087510.pdf MOSFETs N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
auf Bestellung 1719 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.8 EUR
10+1.83 EUR
100+1.63 EUR
500+1.3 EUR
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STF6N60M2 STF6N60M2 STMicroelectronics STF6N60M2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 8 Stücke:
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STF6N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 232 pF @ 100 V
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MOSFETs N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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JVR-14N471K-Bochen(Varistor)
Hersteller: Bochen
Passive Bauelemente > Varistoren
Arbeitsspannung AC/DC, V: 300/385 V
Varistorspannung, V: 470(423...517) V
Max. Spannung und Ansprechstrom, V@A: 775@5 B@A
Imax.(8/20mcs): 4500 Imax.(8/20mcs)
Leistung, W: 0,6 W
Kapazität, pF: 390 pF
Größe: 14D
ZCODE: 14D
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1nF 10kV Z5U M(+/-20%) D<=9mm (KE4A102M-L018BD9-Hitano)
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1nF 10kV Z5U M(+/-20%) D<=9mm (KE4A102M-L018BD9-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische Hochvolt
Kapazität: 1 nF
Nennspannung: 10k V
TKC: Z5U
Toleranz: ±20% M
Abmessungen: D<=9 mm
Part Number: KE4A102M-L018B
UKTZED: 8532 24 00 00
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74HC14D
Produktcode: 2467
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SN74HC14.pdf
74HC14D
Hersteller: NXP
IC > IC Logik
Gehäuse: SO-14
Beschreibung: Schmitt-Trigger invertierend x6
Montage: SMD (Oberflächenmontage)
Analog RUS: ТЛ2
Versorgung, V: -0,5...7 V
Temperatur, °C: -40...+85°C
Logikgatter-Typ: Schmitt-Trigger
verfügbar: 1061 St.
  • 50 St. - stock Köln
  • 1011 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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10+0.19 EUR
100+0.14 EUR
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UC3843BD1 (SO-8)
Produktcode: 14241
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UC2842B,3B,4B,5B,3842B,3B,4B,5B.pdf
UC3843BD1 (SO-8)
Hersteller: ST
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-8
Eigenschaften: PWM-Controller
Eingangsspannung, V: 30 V
I-Ausg., A: 1 A
Oszillatorfrequenz Fosc, kHz: 250 kHz
Temperaturbereich: -65…+150°C
auf Bestellung 164 St.:
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AnzahlPrivatkunde
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