STF6N60M2
Produktcode: 155644
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Lieblingsprodukt
Hersteller: ST
Gehäuse: TO-220FP
Uds,V: 650 V
Idd,A: 4,5 A
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 232/8
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Weitere Produktangebote STF6N60M2 nach Preis ab 1.07 EUR bis 10.64 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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STF6N60M2 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220FPPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.25A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 232 pF @ 100 V |
auf Bestellung 1744 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STF6N60M2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2 |
auf Bestellung 1719 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STF6N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 20W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Plus Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.9A Power dissipation: 20W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STF6N60M2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 232 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 232 pF @ 100 V
auf Bestellung 1744 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 3.75 EUR |
| 50+ | 1.81 EUR |
| 100+ | 1.62 EUR |
| 500+ | 1.29 EUR |
| 1000+ | 1.18 EUR |
| STF6N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
MOSFETs N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
auf Bestellung 1719 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.8 EUR |
| 10+ | 1.83 EUR |
| 100+ | 1.63 EUR |
| 500+ | 1.3 EUR |
| 1000+ | 1.19 EUR |
| 2000+ | 1.09 EUR |
| 5000+ | 1.07 EUR |
| STF6N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 10.64 EUR |
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| JVR-14N471K-Bochen(варистор) Produktcode: 123750
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: Bochen
Passive Bauelemente > Varistoren
Arbeitsspannung Uroб AC/DC, V: 300/385 V
Varistorspannung Uvar, V: 470(423...517) V
Max. Ansprechspannung und -strom, V@A: 775@5 B@A
Max. Strom Imax. (8/20µs), A: 4500 Iмакс.(8/20мкс)
Leistung, W: 0,6 W
Kapazität, pF: 390 pF
Größe: 14D
ZCODE: 14D
Passive Bauelemente > Varistoren
Arbeitsspannung Uroб AC/DC, V: 300/385 V
Varistorspannung Uvar, V: 470(423...517) V
Max. Ansprechspannung und -strom, V@A: 775@5 B@A
Max. Strom Imax. (8/20µs), A: 4500 Iмакс.(8/20мкс)
Leistung, W: 0,6 W
Kapazität, pF: 390 pF
Größe: 14D
ZCODE: 14D
auf Bestellung 290 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 20 St.:
| 1nF 10kV Z5U M(+/-20%) D<=9mm (KE4A102M-L018BD9-Hitano) Produktcode: 2547
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische Hochvolt
Kapazität: 1 nF
Nennspannung: 10k V
TKC: Z5U
Toleranz: ±20% M
Abmessungen: D<=9 mm
Part Number: KE4A102M-L018B
UKTZED: 8532 24 00 00
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische Hochvolt
Kapazität: 1 nF
Nennspannung: 10k V
TKC: Z5U
Toleranz: ±20% M
Abmessungen: D<=9 mm
Part Number: KE4A102M-L018B
UKTZED: 8532 24 00 00
auf Bestellung 628 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.68 EUR |
| 10+ | 0.5 EUR |
| 100+ | 0.4 EUR |
| 1000+ | 0.33 EUR |
| 74HC14D Produktcode: 2467
1
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: TI
IC > IC Logik
Gehäuse: SO-14
Beschreibung: Schmitt-Trigger invertierender x6
Analog 74хх: SMD
Analog RUS: ТЛ2
Strom.V: -0,5…7V
T°C: -40…+85°C
Тип логіч. елем.: Schmitt trigger
IC > IC Logik
Gehäuse: SO-14
Beschreibung: Schmitt-Trigger invertierender x6
Analog 74хх: SMD
Analog RUS: ТЛ2
Strom.V: -0,5…7V
T°C: -40…+85°C
Тип логіч. елем.: Schmitt trigger
verfügbar: 1061 St.
- 50 St. - stock Köln
- 1011 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.24 EUR |
| 10+ | 0.19 EUR |
| 100+ | 0.14 EUR |
| 1000+ | 0.13 EUR |
| UC3843BD1 (SO-8) Produktcode: 14241
5
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: ST
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-8
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 30V
I-ausg., A: 1,0A
Fosc, kHz: 250
Temperaturbereich: -65…+150°C
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-8
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 30V
I-ausg., A: 1,0A
Fosc, kHz: 250
Temperaturbereich: -65…+150°C
auf Bestellung 164 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.5 EUR |
| 10+ | 0.35 EUR |







