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STF6N60M2

stf6n60m2.pdf
Produktcode: 155644
Hersteller: ST
Uds,V: 650 V
Idd,A: 4,5 A
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 232/8
auf Bestellung 32 Stück:
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STF6N60M2 STF6N60M2 Hersteller : STMicroelectronics 22499591356466dm00087510.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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STF6N60M2 STF6N60M2 Hersteller : STMicroelectronics 22499591356466dm00087510.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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STF6N60M2 STF6N60M2 Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E90627F675A745&compId=STF6N60M2.pdf?ci_sign=e6c3efba2c58f8252533fba777c9d959f37baafa Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Mindestbestellmenge: 31
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STF6N60M2 STF6N60M2 Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E90627F675A745&compId=STF6N60M2.pdf?ci_sign=e6c3efba2c58f8252533fba777c9d959f37baafa Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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STF6N60M2 STF6N60M2 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00087510.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 232 pF @ 100 V
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Anzahl Preis
8+2.46 EUR
50+1.44 EUR
100+1.37 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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STF6N60M2 STF6N60M2 Hersteller : STMicroelectronics stf6n60m2-1850628.pdf MOSFETs N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
auf Bestellung 1933 Stücke:
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2+2.60 EUR
10+1.99 EUR
25+1.55 EUR
100+1.48 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.00 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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STF6N60M2 STF6N60M2 Hersteller : STMICROELECTRONICS 2371889.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STF6N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 1.06 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 345 Stücke:
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STF6N60M2 STF6N60M2 Hersteller : STMicroelectronics 22499591356466dm00087510.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Hersteller: ON
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-8
Eigenschaften: AC/DC Adapters
Spannung, eing., V: 16V
I-ausg., A: 250mA
Fosc, kHz: 61
Temperaturbereich: -40…+150°C
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AOTF7N65
Hersteller: A&O
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 650 V
Idd,A: 7 А
Rds(on), Ohm: 1,56 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 887/19
JHGF: THT
auf Bestellung 50 Stück:
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150 Ohm 5% 1W (CR100SJTB-150R-Hitano)
Produktcode: 3420
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CR-S_080911.pdf
150 Ohm 5% 1W (CR100SJTB-150R-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 1W
Resistenz: 150 Ohm
Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): ±5%
P Nenn.,W: 1W
U Betriebs.,V: 500V
Abmessungen: 9x3mm, DAusfuhr.=0,64mm
Typ: Kohlen-, miniatur
Температура: -55...+125°C
verfügbar: 230 Stück
erwartet: 2000 Stück
2000 Stück - erwartet
Anzahl Preis
10+0.02 EUR
100+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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UC3842AN (DIP-8)
Produktcode: 3097
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UC3842AN (DIP-8)
Hersteller: Toshiba
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Eigenschaften: Allgemeine Anwendung
Spannung, eing., V: 30 V
I-ausg., A: 1 А
Fosc, kHz: 500 kHz
Temperaturbereich: 0…+70°C
auf Bestellung 128 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
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10+0.36 EUR
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BZX55-C18
Produktcode: 2473
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BZX55.pdf
BZX55-C18
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-35
Ustab.,V: 18
Istab.direkt,A: 0,25
Pmax: 0,4
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 14.4mV/K
auf Bestellung 985 Stück:
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1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
100+0.03 EUR
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