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STF6N60M2

stf6n60m2.pdf
Produktcode: 155644
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Hersteller: ST
Gehäuse: TO-220FP
Drain-Source-Spannung Uds, V: 650 В
Drain-Strom Idd, A: 4,5 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,2 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 232/8
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STF6N60M2 STF6N60M2 STMicroelectronics 22499591356466dm00087510.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
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STF6N60M2 STF6N60M2 STMicroelectronics 22499591356466dm00087510.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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STF6N60M2 STF6N60M2 STMicroelectronics 22499591356466dm00087510.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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110+1.58 EUR
111+1.55 EUR
117+1.44 EUR
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STF6N60M2 STF6N60M2 STMicroelectronics 22499591356466dm00087510.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 900 Stücke:
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111+1.51 EUR
117+1.38 EUR
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STF6N60M2 STF6N60M2 STMICROELECTRONICS 2371889.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STF6N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 1.06 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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72+3.47 EUR
102+2.27 EUR
117+1.83 EUR
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STF6N60M2 STF6N60M2 STMicroelectronics en.DM00087510.pdf MOSFETs N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
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1+3.8 EUR
10+1.83 EUR
100+1.63 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.19 EUR
2000+1.09 EUR
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STF6N60M2 STF6N60M2 STMicroelectronics en.DM00087510.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 232 pF @ 100 V
auf Bestellung 1642 Stücke:
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6+3.88 EUR
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STF6N60M2 STF6N60M2 STMicroelectronics STF6N60M2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 8 Stücke:
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STF6N60M2 22499591356466dm00087510.pdf
STF6N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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STF6N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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STF6N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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STF6N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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STF6N60M2
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF6N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 1.06 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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STF6N60M2 en.DM00087510.pdf
STF6N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
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1+3.8 EUR
10+1.83 EUR
100+1.63 EUR
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2000+1.09 EUR
5000+1.07 EUR
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STF6N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 232 pF @ 100 V
auf Bestellung 1642 Stücke:
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6+3.88 EUR
50+1.86 EUR
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1000+1.21 EUR
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STF6N60M2 STF6N60M2.pdf
STF6N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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JVR-14N471K-Bochen(Varistor)
Produktcode: 123750
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JVR-14N471K-Bochen(Varistor)
Hersteller: Bochen
Passive Bauelemente > Varistoren
Arbeitsspannung AC/DC, V: 300/385 V
Varistorspannung, V: 470(423...517) V
Max. Spannung und Ansprechstrom, V@A: 775@5 B@A
Imax.(8/20mcs): 4500 A
Leistung, W: 0,6 W
Kapazität, pF: 390 pF
Größe: 14D
ZCODE: 14D
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  • 298 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+0.25 EUR
100+0.21 EUR
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1nF 10kV Z5U M(+/-20%) D<=9mm (KE4A102M-L018BD9-Hitano)
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HI_Voltage_070726.pdf
1nF 10kV Z5U M(+/-20%) D<=9mm (KE4A102M-L018BD9-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische Hochvolt
Kapazität: 1 nF
Nennspannung: 10 kV
Dielektrikum-Code (TCC): Z5U
Toleranz: ±20% M
Abmessungen: D<=9 mm
Part Number: KE4A102M-L018B
UKTZED: 8532 24 00 00
auf Bestellung: 628 St.
  • 628 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+0.57 EUR
100+0.55 EUR
1000+0.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
74HC14D
Produktcode: 2467
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SN74HC14.pdf
74HC14D
Hersteller: NXP
IC > IC Logik
Gehäuse: SO-14
Beschreibung: Schmitt-Trigger invertierend x6
Montage: SMD (Oberflächenmontage)
Analog RUS: ТЛ2
Versorgung, V: -0,5...7 V
Temperatur, °C: -40...+85°C
Logikgatter-Typ: Schmitt-Trigger
verfügbar: 50 St.
  • 50 St. - stock Köln
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  • 995 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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100+0.46 EUR
1000+0.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UC3843BD1 (SO-8)
Produktcode: 14241
5 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
UC2842B,3B,4B,5B,3842B,3B,4B,5B.pdf
UC3843BD1 (SO-8)
Hersteller: ST
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-8
Funktion und Eigenschaften: PWM-Controller
Eingangsspannung, V: 30 V
Ausgangsstrom Iout, A: 1 A
Frequenz Fosc, kHz: 250 kHz
Temperaturbereich: -65…+150°C
auf Bestellung: 157 St.
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