| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 5.14 EUR |
| 10+ | 2.8 EUR |
| 100+ | 2.36 EUR |
| 500+ | 2.09 EUR |
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Technische Details STF7NM60N STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STF7NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 0.84 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote STF7NM60N nach Preis ab 1.83 EUR bis 1.83 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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STF7NM60N | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - STF7NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 0.84 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 676 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STF7NM60N | Hersteller : ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 900mOhm; 5A; 20W; -55°C ~ 150°C; STF7NM60N TSTF7NM60n Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| STF7NM60N | Hersteller : STM |
MOSFET N-CH 600V 4.7A TO-220FP Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STF7NM60N | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO220FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220FP Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-5 Full Pack Packaging: Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |