Technische Details STF80N600K6 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STF80N600K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 23W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm.
Weitere Produktangebote STF80N600K6 nach Preis ab 1.87 EUR bis 6.76 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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STF80N600K6 | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STF80N600K6 | STMicroelectronics |
Description: N-CHANNEL 800 V, 515 MOHM TYP., Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 23W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V |
auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STF80N600K6 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET |
auf Bestellung 1038 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STF80N600K6 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STF80N600K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 23W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm |
auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STF80N600K6 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 1.87 EUR |
| STF80N600K6 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: N-CHANNEL 800 V, 515 MOHM TYP.,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V
Description: N-CHANNEL 800 V, 515 MOHM TYP.,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 6.68 EUR |
| STF80N600K6 |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET
MOSFETs N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET
auf Bestellung 1038 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.76 EUR |
| 10+ | 4.4 EUR |
| 100+ | 3.08 EUR |
| 500+ | 2.57 EUR |
| 1000+ | 2.39 EUR |
| 2500+ | 2.26 EUR |
| STF80N600K6 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF80N600K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 23W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STF80N600K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 23W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)