Technische Details STF80N900K6 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STF80N900K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.9 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 21.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm.
Weitere Produktangebote STF80N900K6 nach Preis ab 1.63 EUR bis 6.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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STF80N900K6 | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STF80N900K6 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 21.5W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6A Power dissipation: 21.5W Case: TO220FP On-state resistance: 0.9Ω Mounting: THT Gate charge: 7nC Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STF80N900K6 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STF80N900K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.9 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 21.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm |
auf Bestellung 265 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STF80N900K6 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 81+ | 2.15 EUR |
| 1000+ | 1.63 EUR |
| STF80N900K6 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 21.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 21.5W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 21.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 21.5W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 36+ | 2.4 EUR |
| 40+ | 2.17 EUR |
| 50+ | 1.99 EUR |
| 100+ | 1.9 EUR |
| STF80N900K6 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF80N900K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.9 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 21.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STF80N900K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.9 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 21.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 41+ | 6.12 EUR |
| 64+ | 3.67 EUR |
| 100+ | 2.57 EUR |