STFH18N60M2 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP wide c
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| 1+ | 2.96 EUR |
| 10+ | 2.13 EUR |
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| 500+ | 1.62 EUR |
| 920+ | 1.41 EUR |
| 5520+ | 1.4 EUR |
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Technische Details STFH18N60M2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STFH18N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.255 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh, M2, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.255ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STFH18N60M2
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STFH18N60M2 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STFH18N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.255 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh, M2 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.255ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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STFH18N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STFH18N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STFH18N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 791 pF @ 100 V |
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