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STFW1N105K3 STMicroelectronics

STF,STFW,STP1N105K3.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.05kV; 1.4A; Idm: 5.6A; 20W; TO3PF
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO3PF
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 5.6A
On-state resistance: 11Ω
Power dissipation: 20W
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 1.05kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.1 EUR
26+2.79 EUR
34+2.12 EUR
36+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 24
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Technische Details STFW1N105K3 STMicroelectronics

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.05kV; 1.4A; Idm: 5.6A; 20W; TO3PF, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Mounting: THT, Case: TO3PF, Kind of package: tube, Polarisation: unipolar, Gate charge: 13nC, Drain current: 1.4A, Pulsed drain current: 5.6A, On-state resistance: 11Ω, Power dissipation: 20W, Gate-source voltage: ±30V, Drain-source voltage: 1.05kV, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STFW1N105K3 Hersteller : STMicroelectronics STF,STFW,STP1N105K3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.05kV; 1.4A; Idm: 5.6A; 20W; TO3PF
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO3PF
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 5.6A
On-state resistance: 11Ω
Power dissipation: 20W
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 1.05kV
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