STFW4N150 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 63W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 63W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 11+ | 6.86 EUR |
| 12+ | 6.11 EUR |
| 13+ | 5.61 EUR |
| 14+ | 5.45 EUR |
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Technische Details STFW4N150 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STFW4N150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 4 A, 5 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 63W, Bauform - Transistor: TO-3PF, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote STFW4N150 nach Preis ab 4.72 EUR bis 10.93 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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STFW4N150 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 1500V 4A ISOWATT Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STFW4N150 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 1500 V 4 A PowerMESH |
auf Bestellung 1361 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STFW4N150 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STFW4N150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 4 A, 5 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: TO-3PF Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 268 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STFW4N150 | Hersteller : STMicroelectronics |
N-канальний ПТ, Udss, В = 1 500, Id = 4 A, Ptot, Вт = 63, Тип монт. = вивідний, Qg, нКл = 30, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 30 Stücke |
verfügbar 2 Stücke: |