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STGAP2SICS

STGAP2SICS STMicroelectronics

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Hersteller: STMicroelectronics
Galvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs
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Technische Details STGAP2SICS STMicroelectronics

Description: DIGITAL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SO, Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns, Supplier Device Package: 8-SO, Approval Agency: UL, Voltage - Isolation: 5000Vrms, Current - Output High, Low: 4A, 4A, Technology: Capacitive Coupling, Current - Peak Output: 4A, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width), Packaging: Tube, Voltage - Output Supply: 3V ~ 5.5V, Number of Channels: 1, Part Status: Active, Pulse Width Distortion (Max): 20ns, Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns, Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STGAP2SICS STGAP2SICS STMicroelectronics stgap2sics.pdf Description: DIGITAL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SO
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns
Supplier Device Package: 8-SO
Approval Agency: UL
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 4A, 4A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Peak Output: 4A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tube
Voltage - Output Supply: 3V ~ 5.5V
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Pulse Width Distortion (Max): 20ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns
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STGAP2SICS STMicroelectronics stgap2sics.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; SiC MOSFET gate driver; SO8-W; -4÷4A; Ch: 1; 1MHz
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: SiC MOSFET gate driver
Case: SO8-W
Output current: -4...4A
Number of channels: 1
Supply voltage: 3.1...5.5V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Frequency: 1MHz
Integrated circuit features: galvanically isolated
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STGAP2SICS
Hersteller: STMicroelectronics
Description: DIGITAL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SO
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns
Supplier Device Package: 8-SO
Approval Agency: UL
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 4A, 4A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Peak Output: 4A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tube
Voltage - Output Supply: 3V ~ 5.5V
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Pulse Width Distortion (Max): 20ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns
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Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; SiC MOSFET gate driver; SO8-W; -4÷4A; Ch: 1; 1MHz
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: SiC MOSFET gate driver
Case: SO8-W
Output current: -4...4A
Number of channels: 1
Supply voltage: 3.1...5.5V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Frequency: 1MHz
Integrated circuit features: galvanically isolated
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