STGAP2SICSC STMicroelectronics
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Technische Details STGAP2SICSC STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2SICSC - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 16.4-26V Versorgungsspannung, -40°C bis 125°C, 75ns Verzögerung, WSOIC-8, tariffCode: 85423919, Sinkstrom: -, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC, Eingang: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: -, Versorgungsspannung, min.: 16.4V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 26V, Eingabeverzögerung: 75ns, Ausgabeverzögerung: 75ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STGAP2SICSC nach Preis ab 2.46 EUR bis 10.61 EUR
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STGAP2SICSC | Hersteller : STMicroelectronics |
 Driver 1-OUT Half Brdg 8-Pin SO W Tube |
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STGAP2SICSC | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: DIGITAL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 4A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 4A, 4A Voltage - Isolation: 5000Vrms Approval Agency: UL Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns Pulse Width Distortion (Max): 20ns Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 3V ~ 5.5V |
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STGAP2SICSC | Hersteller : STMicroelectronics |
Galvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs |
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STGAP2SICSC | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2SICSC - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 16.4-26V Versorgungsspannung, -40°C bis 125°C, 75ns Verzögerung, WSOIC-8 tariffCode: 85423919 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 16.4V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 26V Eingabeverzögerung: 75ns Ausgabeverzögerung: 75ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGAP2SICSC | Hersteller : STMicroelectronics |
STGAP2SICSC |
auf Bestellung 85 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGAP2SICSC | Hersteller : STMicroelectronics |
Driver 1-OUT Half Brdg 8-Pin SO W Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STGAP2SICSC | Hersteller : STMicroelectronics |
STGAP2SICSC |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STGAP2SICSC | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; SiC MOSFET gate driver; SO8-W; -4÷4A; 1.2kV; Ch: 1 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: SiC MOSFET gate driver Case: SO8-W Output current: -4...4A Output voltage: 1.2kV Number of channels: 1 Integrated circuit features: galvanically isolated Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Supply voltage: 3.1...5.5V |
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