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STGAP2SICSTR

STGAP2SICSTR STMicroelectronics

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Hersteller: STMicroelectronics
Driver 1-OUT Half Brdg 8-Pin SO W T/R
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Technische Details STGAP2SICSTR STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2SICSTR - Gate-Treiber, 1 Kanal, Halbbrücke, SiC-MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend, tariffCode: 85423919, Sinkstrom: 4A, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: SiC­MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC, Eingang: Invertierend, nicht invertierend, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 4A, Versorgungsspannung, min.: 16.4V, Bauform - Treiber: WSOIC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, max.: 26V, Eingabeverzögerung: 75ns, Ausgabeverzögerung: 75ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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STGAP2SICSTR STGAP2SICSTR STMICROELECTRONICS 3158464.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2SICSTR - Gate-Treiber, 1 Kanal, Halbbrücke, SiC-MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: SiC­MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 16.4V
Bauform - Treiber: WSOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 26V
Eingabeverzögerung: 75ns
Ausgabeverzögerung: 75ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
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STGAP2SICSTR STGAP2SICSTR STMicroelectronics stgap2sics.pdf Galvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs
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10+7.39 EUR
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STGAP2SICSTR STGAP2SICSTR STMICROELECTRONICS 3158464.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2SICSTR - Gate-Treiber, 1 Kanal, Halbbrücke, SiC-MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: SiC­MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 16.4V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 26V
Eingabeverzögerung: 75ns
Ausgabeverzögerung: 75ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
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STGAP2SICSTR STGAP2SICSTR STMicroelectronics stgap2sics.pdf Description: DIGITAL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 4A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 4A, 4A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: 8-SO
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns
Pulse Width Distortion (Max): 20ns
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 3V ~ 5.5V
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2SICSTR - Gate-Treiber, 1 Kanal, Halbbrücke, SiC-MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: SiC­MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 16.4V
Bauform - Treiber: WSOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 26V
Eingabeverzögerung: 75ns
Ausgabeverzögerung: 75ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
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10+7.39 EUR
25+6.94 EUR
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250+6.09 EUR
500+5.99 EUR
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2SICSTR - Gate-Treiber, 1 Kanal, Halbbrücke, SiC-MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: SiC­MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 16.4V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 26V
Eingabeverzögerung: 75ns
Ausgabeverzögerung: 75ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 2388 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
23+11.15 EUR
28+8.45 EUR
30+7.31 EUR
50+6.99 EUR
100+6.64 EUR
250+6.43 EUR
500+6.32 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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25+11.58 EUR
50+10.9 EUR
100+10.29 EUR
250+9.83 EUR
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Description: DIGITAL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 4A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 4A, 4A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: 8-SO
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns
Pulse Width Distortion (Max): 20ns
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