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STGAP2SICSTR

STGAP2SICSTR STMicroelectronics

stgap2sics.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Driver 1-OUT Half Brdg 8-Pin SO W T/R
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Technische Details STGAP2SICSTR STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2SICSTR - Gate-Treiber, 1 Kanal, Halbbrücke, SiC-MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend, tariffCode: 85423919, Sinkstrom: 4A, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: SiC­MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC, Eingang: Invertierend, nicht invertierend, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 4A, Versorgungsspannung, min.: 16.4V, Bauform - Treiber: WSOIC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, max.: 26V, Eingabeverzögerung: 75ns, Ausgabeverzögerung: 75ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C.

Weitere Produktangebote STGAP2SICSTR nach Preis ab 4.4 EUR bis 12.88 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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15+11.86 EUR
25+11.19 EUR
50+10.53 EUR
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STGAP2SICSTR STGAP2SICSTR STMICROELECTRONICS 3158464.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2SICSTR - Gate-Treiber, 1 Kanal, Halbbrücke, SiC-MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: SiC­MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 16.4V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 26V
Eingabeverzögerung: 75ns
Ausgabeverzögerung: 75ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 2388 Stücke:
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21+12.09 EUR
28+8.33 EUR
30+7.2 EUR
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100+6.32 EUR
250+6.19 EUR
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STGAP2SICSTR STGAP2SICSTR STMICROELECTRONICS 3158464.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2SICSTR - Gate-Treiber, 1 Kanal, Halbbrücke, SiC-MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: SiC­MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 16.4V
Bauform - Treiber: WSOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 26V
Eingabeverzögerung: 75ns
Ausgabeverzögerung: 75ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
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21+12.09 EUR
28+8.33 EUR
30+7.2 EUR
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STGAP2SICSTR STGAP2SICSTR STMicroelectronics stgap2sics.pdf Description: DIGITAL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SO
Approval Agency: UL
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 4A, 4A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Peak Output: 4A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Output Supply: 3V ~ 5.5V
Number of Channels: 1
Pulse Width Distortion (Max): 20ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns
Supplier Device Package: 8-SO
auf Bestellung 950 Stücke:
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2+12.61 EUR
10+8.51 EUR
100+6.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STGAP2SICSTR STGAP2SICSTR STMicroelectronics stgap2sics.pdf Galvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs
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10+9.67 EUR
25+9.01 EUR
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25+11.19 EUR
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Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2SICSTR - Gate-Treiber, 1 Kanal, Halbbrücke, SiC-MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend
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Betriebstemperatur, min.: -40°C
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usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 26V
Eingabeverzögerung: 75ns
Ausgabeverzögerung: 75ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
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50+6.77 EUR
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Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2SICSTR - Gate-Treiber, 1 Kanal, Halbbrücke, SiC-MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: SiC­MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 16.4V
Bauform - Treiber: WSOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 26V
Eingabeverzögerung: 75ns
Ausgabeverzögerung: 75ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
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Technology: Capacitive Coupling
Current - Peak Output: 4A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
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Number of Channels: 1
Pulse Width Distortion (Max): 20ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns
Supplier Device Package: 8-SO
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Galvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs
auf Bestellung 1755 Stücke:
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10+9.67 EUR
25+9.01 EUR
100+7.91 EUR
250+7.52 EUR
500+6.75 EUR
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