Produkte > Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule > STGB10NB37LZT4 Китай
STGB10NB37LZT4

STGB10NB37LZT4 Китай

en.CD00002226.pdf
Produktcode: 212617
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller: Китай
Gehäuse: D²PAK
Ic 25: 20 A
Ic 100: 10 А
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote STGB10NB37LZT4 nach Preis ab 1.34 EUR bis 7.94 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4
Produktcode: 34446
3 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Hersteller : ST cd00002226-datasheet.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: D PAK
Vces: 410
Ic 25: 20
Ic 100: 10
verfügbar: 59 St.
6 St. - stock Köln
53 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+1.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4 Hersteller : STMicroelectronics STGB10NB37LZT4.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 440V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
auf Bestellung 705 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.96 EUR
26+2.8 EUR
32+2.26 EUR
36+2.02 EUR
50+1.7 EUR
100+1.49 EUR
500+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00002226.pdf IGBTs 10 A - 410 V Int Clamped IGBT
auf Bestellung 893 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4 EUR
10+3.36 EUR
100+2.27 EUR
500+2.24 EUR
1000+1.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00002226.pdf Description: IGBT 440V 20A 125W D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 4.5V, 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 1.3µs/8µs
Switching Energy: 2.4mJ (on), 5mJ (off)
Test Condition: 328V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 28 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 440 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 125 W
auf Bestellung 685 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+7.94 EUR
10+5.28 EUR
100+3.76 EUR
500+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NB37LZT4 en.CD00002226.pdf
auf Bestellung 1996 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4 Hersteller : STMicroelectronics cd0000222.pdf Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4 Hersteller : STMICROELECTRONICS SGSTS35954-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STGB10NB37LZT4 - IGBT, 20 A, 1.3 V, 125 W, 410 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 410V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4 Hersteller : STMICROELECTRONICS SGSTS35954-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STGB10NB37LZT4 - IGBT, 20 A, 1.3 V, 125 W, 410 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 410V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00002226.pdf Description: IGBT 440V 20A 125W D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 4.5V, 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 1.3µs/8µs
Switching Energy: 2.4mJ (on), 5mJ (off)
Test Condition: 328V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 28 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 440 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 125 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH