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STGB10NB37LZT4

STGB10NB37LZT4

cd00002226-datasheet.pdf
Produktcode: 34446
Hersteller:
Gehäuse: D PAK
Vces: 410
Vce: 01.02.2015
Ic 25: 20
Ic 100: 10
verfügbar 40 Stück:
6 Stück - stock Köln
34 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet 100 Stück:
100 Stück - erwartet 29.06.2025
Anzahl Preis
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STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4 Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB6F13541CE0F00D6&compId=STGB10NB37LZT4.pdf?ci_sign=c2187b0ac3a1ad725a23ec2e1e458be9727b8ce5 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 440V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 483 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.46 EUR
30+2.45 EUR
48+1.5 EUR
51+1.42 EUR
5000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 21
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STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4 Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB6F13541CE0F00D6&compId=STGB10NB37LZT4.pdf?ci_sign=c2187b0ac3a1ad725a23ec2e1e458be9727b8ce5 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 440V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
auf Bestellung 483 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.46 EUR
30+2.45 EUR
48+1.5 EUR
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STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00002226.pdf Description: IGBT 440V 20A 125W D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 4.5V, 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 1.3µs/8µs
Switching Energy: 2.4mJ (on), 5mJ (off)
Test Condition: 328V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 28 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 440 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 125 W
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+7.73 EUR
10+5.13 EUR
100+3.66 EUR
500+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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STGB10NB37LZT4 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00002226.pdf IGBTs 10 A - 410 V Int Clamped IGBT
auf Bestellung 981 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.64 EUR
10+2.62 EUR
100+2.09 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.47 EUR
2000+1.38 EUR
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STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4 Hersteller : STMicroelectronics cd0000222.pdf Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4 Hersteller : STMicroelectronics cd0000222.pdf Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4 Hersteller : STMicroelectronics cd0000222.pdf Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4 Hersteller : STMicroelectronics cd0000222.pdf Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4 Hersteller : STMICROELECTRONICS SGSTS35954-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STGB10NB37LZT4 - IGBT, 20 A, 1.3 V, 125 W, 410 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 410V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
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STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4 Hersteller : STMICROELECTRONICS SGSTS35954-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STGB10NB37LZT4 - IGBT, 20 A, 1.3 V, 125 W, 410 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 410V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
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STGB10NB37LZT4 Hersteller : STMicroelectronics cd0000222.pdf Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4 Hersteller : STMicroelectronics cd0000222.pdf Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00002226.pdf Description: IGBT 440V 20A 125W D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 4.5V, 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 1.3µs/8µs
Switching Energy: 2.4mJ (on), 5mJ (off)
Test Condition: 328V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 28 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 440 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 125 W
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120 Ohm 5W 5% (SQP50JB-120R)
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120 Ohm 5W 5% (SQP50JB-120R)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - Zement-, 2 - 25W
Resistenz: 120 Ohm
Leistung: 5W
Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): ±5%
U Betriebs.,V: 750V
Abmessungen, mm: 22,0x10,0x9,5; dAusfuhr.=0,8
Typ: Ausfuhrungs-, Zement-, Draht-
auf Bestellung 282 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.1 EUR
10+0.09 EUR
100+0.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
16 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
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16 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
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Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 16 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
auf Bestellung 101675 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
10+0.0038 EUR
100+0.0024 EUR
1000+0.0017 EUR
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68uF 400V EHP 22x25mm (EHP680M2GBA-Hitano)
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68uF 400V EHP 22x25mm (EHP680M2GBA-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 68uF
Nennspannung: 400V
Reihe: EHP
Temp.Bereich: -25...+105°C
Abmessungen: 22x25mm
Lebensdauer: 22х25mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
auf Bestellung 152 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
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10+1.13 EUR
100+0.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
12 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
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12 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
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Resistenz: 12 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
auf Bestellung 18482 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
10+0.0038 EUR
100+0.0024 EUR
1000+0.0017 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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1 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
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Hersteller: Uni-Ohm
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Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125W
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Größe Typ: 0805
verfügbar: 15150 Stück
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