STGB10NC60HDT4 (D2PAK, ST)


Produktcode: 155334
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STGB10NC60HDT4 STGB10NC60HDT4 STMicroelectronics en.CD00077678.pdf IGBTs N Ch 10A 600V
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.5 EUR
10+4.44 EUR
100+3.01 EUR
500+2.45 EUR
1000+2.12 EUR
2000+2.09 EUR
5000+2 EUR
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STGB10NC60HDT4 STGB10NC60HDT4 STMicroelectronics stgb10nc60hd.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STGB10NC60HDT4 STGB10NC60HDT4 STMicroelectronics en.cd00077678.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6 Stücke:
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Hersteller: STMicroelectronics
IGBTs N Ch 10A 600V
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AnzahlPrivatkunde
1+4.5 EUR
10+4.44 EUR
100+3.01 EUR
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5000+2 EUR
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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