STGB10NC60KDT4


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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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STGB10NC60KDT4 STGB10NC60KDT4 Hersteller : STMicroelectronics stgb10nc60kdt4.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2984 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
130+1.1 EUR
133+1.04 EUR
135+0.99 EUR
250+0.94 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.83 EUR
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STGB10NC60KDT4 STGB10NC60KDT4 Hersteller : STMicroelectronics stgb10nc60kdt4.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2984 Stücke:
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128+1.12 EUR
130+1.06 EUR
133+1 EUR
135+0.95 EUR
250+0.9 EUR
500+0.85 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 128
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STGB10NC60KDT4 STGB10NC60KDT4 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00058414.pdf Description: IGBT 600V 20A 65W D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 65 W
auf Bestellung 266 Stücke:
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6+3.03 EUR
10+1.93 EUR
100+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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STGB10NC60KDT4 STGB10NC60KDT4 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00058414.pdf IGBTs N-channel MOSFET
auf Bestellung 3232 Stücke:
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1+3.19 EUR
10+2.04 EUR
100+1.38 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.96 EUR
2000+0.9 EUR
5000+0.82 EUR
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STGB10NC60KDT4 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00058414.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 993 Stücke:
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34+2.12 EUR
49+1.49 EUR
57+1.26 EUR
62+1.16 EUR
100+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 34
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STGB10NC60KDT4 STGB10NC60KDT4 Hersteller : STMicroelectronics stgb10nc60kdt4.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STGB10NC60KDT4 STGB10NC60KDT4 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00058414.pdf Description: IGBT 600V 20A 65W D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 65 W
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