STGE200NB60S STMicroelectronics
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| 5+ | 30.3 EUR |
| 10+ | 28.51 EUR |
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Technische Details STGE200NB60S STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STGE200NB60S - IGBT-Modul, Einfach, 200 A, 1.6 V, 600 W, 150 °C, ISOTOP, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V, Dauer-Kollektorstrom: 200A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Schraubanschluss, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600W, Bauform - Transistor: ISOTOP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, IGBT-Konfiguration: Einfach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 200A, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote STGE200NB60S nach Preis ab 21.83 EUR bis 50.32 EUR
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STGE200NB60S | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans IGBT Module N-CH 600V 200A 600W 4-Pin ISOTOP Tube |
auf Bestellung 298 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGE200NB60S | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Module N-CH 600V 200A 600W 4-Pin ISOTOP Tube |
auf Bestellung 298 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGE200NB60S | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: IGBT MOD 600V 200A 600W ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 100A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: ISOTOP Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 600 W Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.56 nF @ 25 V |
auf Bestellung 73 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STGE200NB60S | Hersteller : STMicroelectronics |
IGBT Modules N-Ch 600 Volt 150Amp |
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STGE200NB60S | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGE200NB60S - IGBT-Modul, Einfach, 200 A, 1.6 V, 600 W, 150 °C, ISOTOP tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V Dauer-Kollektorstrom: 200A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Schraubanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 600W Bauform - Transistor: ISOTOP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V IGBT-Konfiguration: Einfach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 200A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGE200NB60S | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Module N-CH 600V 200A 600000mW 4-Pin ISOTOP Tube |
auf Bestellung 98 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGE200NB60S Produktcode: 53843
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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STGE200NB60S | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Module N-CH 600V 200A 600W 4-Pin ISOTOP Tube |
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STGE200NB60S | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Module N-CH 600V 200A 600W 4-Pin ISOTOP Tube |
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| STGE200NB60S | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Module N-CH 600V 200A 600W 4-Pin ISOTOP Tube |
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STGE200NB60S | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 150A; ISOTOP; 600W Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 150A Pulsed collector current: 400A Max. off-state voltage: 0.6kV Power dissipation: 600W Case: ISOTOP Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STGE200NB60S | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 150A; ISOTOP; 600W Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 150A Pulsed collector current: 400A Max. off-state voltage: 0.6kV Power dissipation: 600W Case: ISOTOP Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: single transistor |
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