STGE200NB60S
Produktcode: 53843
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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STGE200NB60S | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 150A; ISOTOP; 600W Gate-emitter voltage: ±20V Max. off-state voltage: 0.6kV Collector current: 150A Pulsed collector current: 400A Power dissipation: 600W Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Case: ISOTOP Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGE200NB60S | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Module N-CH 600V 200A 600W 4-Pin ISOTOP Tube |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGE200NB60S | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Module N-CH 600V 200A 600W 4-Pin ISOTOP Tube |
auf Bestellung 298 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGE200NB60S | Hersteller : STMicroelectronics |
IGBT Modules N-Ch 600 Volt 150Amp |
auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STGE200NB60S | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Module N-CH 600V 200A 600W 4-Pin ISOTOP Tube |
auf Bestellung 298 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGE200NB60S | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: IGBT MOD 600V 200A 600W ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 100A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: ISOTOP Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 600 W Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.56 nF @ 25 V |
auf Bestellung 102 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STGE200NB60S | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGE200NB60S - IGBT-Modul, Einfach, 200 A, 1.6 V, 600 W, 150 °C, ISOTOP tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Schraubanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 600W Bauform - Transistor: ISOTOP Dauerkollektorstrom: 200A Dauerkollektorstrom: 200A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V IGBT-Konfiguration: Einfach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGE200NB60S | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Module N-CH 600V 200A 600W 4-Pin ISOTOP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STGE200NB60S | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Module N-CH 600V 200A 600W 4-Pin ISOTOP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STGE200NB60S | Hersteller : STM |
IGBT N-channel 600V 150A, ISOTOP Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |