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STGF10NB60SD

STGF10NB60SD STMicroelectronics


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A86DF29280D2&compId=stgf10nb60sd.pdf?ci_sign=29151cbd931262b49aeac042b42b8ca4e413d24f Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 25W; TO220FP
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Pulsed collector current: 80A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 25W
Gate charge: 33nC
auf Bestellung 90 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
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Technische Details STGF10NB60SD STMicroelectronics

Description: IGBT 600V 23A TO-220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 37 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-220FP, Td (on/off) @ 25°C: 700ns/1.2µs, Switching Energy: 600µJ (on), 5mJ (off), Test Condition: 480V, 10A, 1kOhm, 15V, Gate Charge: 33 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 23 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 25 W.

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STGF10NB60SD STGF10NB60SD Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A86DF29280D2&compId=stgf10nb60sd.pdf?ci_sign=29151cbd931262b49aeac042b42b8ca4e413d24f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 25W; TO220FP
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Pulsed collector current: 80A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 25W
Gate charge: 33nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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STGF10NB60SD STGF10NB60SD Hersteller : STMicroelectronics stgp10nb60sd-1850864.pdf IGBTs N-Ch 600 Volt 10 Amp
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STGF10NB60SD STGF10NB60SD Hersteller : STMicroelectronics en.CD00077672.pdf Description: IGBT 600V 23A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220FP
Td (on/off) @ 25°C: 700ns/1.2µs
Switching Energy: 600µJ (on), 5mJ (off)
Test Condition: 480V, 10A, 1kOhm, 15V
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 23 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 25 W
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STGF10NB60SD STGF10NB60SD Hersteller : STMicroelectronics 1637cd00077672.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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STGF10NB60SD
Produktcode: 175402
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