STGF10NB60SD


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Produktcode: 175402
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STGF10NB60SD STGF10NB60SD STMicroelectronics 1637cd00077672.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 25W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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1000+1.11 EUR
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STGF10NB60SD STGF10NB60SD STMicroelectronics 1637cd00077672.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 25W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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126+1.33 EUR
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STGF10NB60SD STGF10NB60SD STMicroelectronics stgf10nb60sd.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 25W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 23A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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32+2.65 EUR
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STGF10NB60SD STGF10NB60SD STMicroelectronics en.CD00077672.pdf IGBTs N-Ch 600 Volt 10 Amp
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10+2.14 EUR
100+1.92 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.34 EUR
2000+1.3 EUR
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STGF10NB60SD STGF10NB60SD STMicroelectronics en.CD00077672.pdf Description: IGBT 600V 23A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220FP
Td (on/off) @ 25°C: 700ns/1.2µs
Switching Energy: 600µJ (on), 5mJ (off)
Test Condition: 480V, 10A, 1kOhm, 15V
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 23 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 25 W
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 25W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 25W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 23A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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Description: IGBT 600V 23A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220FP
Td (on/off) @ 25°C: 700ns/1.2µs
Switching Energy: 600µJ (on), 5mJ (off)
Test Condition: 480V, 10A, 1kOhm, 15V
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 23 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 25 W
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