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STGF3NC120HD

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STGF3NC120HD STGF3NC120HD STMicroelectronics stgb3nc120hdt4.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 6A 25W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 3120 Stücke:
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92+1.89 EUR
101+1.68 EUR
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STGF3NC120HD STGF3NC120HD STMicroelectronics stgb3nc120hdt4.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 6A 25W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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STGF3NC120HD STGF3NC120HD STMicroelectronics STGx3NC120HD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 3A; 25W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 3A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 60 Stücke:
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35+2.49 EUR
40+2.18 EUR
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STGF3NC120HD STGF3NC120HD STMicroelectronics en.CD00047515.pdf Description: IGBT 1200V 6A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 51 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-220FP
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/118ns
Switching Energy: 236µJ (on), 290µJ (off)
Test Condition: 800V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 25 W
auf Bestellung 2185 Stücke:
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5+4.63 EUR
50+2.26 EUR
100+2.03 EUR
500+1.63 EUR
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2000+1.39 EUR
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STGF3NC120HD STGF3NC120HD STMicroelectronics en.CD00047515.pdf IGBTs N-Ch 1200 Volt 3 Amp
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10+2.28 EUR
100+2.05 EUR
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Hersteller: STMicroelectronics
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 3A; 25W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 3A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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Description: IGBT 1200V 6A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 51 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-220FP
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/118ns
Switching Energy: 236µJ (on), 290µJ (off)
Test Condition: 800V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 25 W
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Umax, V: 800 В
I-auf, mA: 50 мА
Imax, A: 16 А
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BTA41-600BRG
Produktcode: 3601
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description BTA40 and BTA BTB41 series.pdf
BTA41-600BRG
Hersteller: Китай
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Gehäuse: TOP-3ISO
Umax, V: 600 V
I-auf, mA: 50 mA
Imax, A: 10 A
isoliertes Gehäuse
UKTZED: 8541 10 00 90
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