
STGF6M65DF2 STMicroelectronics

IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss
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Anzahl | Preis |
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2+ | 1.95 EUR |
10+ | 1.60 EUR |
100+ | 1.24 EUR |
500+ | 1.05 EUR |
1000+ | 0.82 EUR |
2000+ | 0.81 EUR |
5000+ | 0.79 EUR |
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Technische Details STGF6M65DF2 STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH 650V 12A TO220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 140 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A, Supplier Device Package: TO-220FP, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 15ns/90ns, Switching Energy: 36µJ (on), 200µJ (off), Test Condition: 400V, 6A, 22Ohm, 15V, Gate Charge: 21.2 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 12 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A, Power - Max: 24.2 W.
Weitere Produktangebote STGF6M65DF2 nach Preis ab 2.12 EUR bis 2.59 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STGF6M65DF2 | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 140 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A Supplier Device Package: TO-220FP IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 15ns/90ns Switching Energy: 36µJ (on), 200µJ (off) Test Condition: 400V, 6A, 22Ohm, 15V Gate Charge: 21.2 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A Power - Max: 24.2 W |
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STGF6M65DF2 | Hersteller : STMicroelectronics |
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STGF6M65DF2 | Hersteller : STMicroelectronics |
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