STGF6M65DF2

STGF6M65DF2 STMicroelectronics


stgf6m65df2-1850773.pdf Hersteller: STMicroelectronics
IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss
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Technische Details STGF6M65DF2 STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH 650V 12A TO220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 140 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A, Supplier Device Package: TO-220FP, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 15ns/90ns, Switching Energy: 36µJ (on), 200µJ (off), Test Condition: 400V, 6A, 22Ohm, 15V, Gate Charge: 21.2 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 12 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A, Power - Max: 24.2 W.

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STGF6M65DF2 STGF6M65DF2 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00248773.pdf Description: IGBT TRENCH 650V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: TO-220FP
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/90ns
Switching Energy: 36µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 21.2 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 24.2 W
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STGF6M65DF2 STGF6M65DF2 Hersteller : STMicroelectronics 10307047987332158.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 12A 24.2W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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STGF6M65DF2 STGF6M65DF2 Hersteller : STMicroelectronics 10307047987332158.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 12A 24200mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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