Technische Details STGFW20V60DF STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 40A 52W TO-3PF, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 40 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-3PF, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 38ns/149ns, Switching Energy: 200µJ (on), 130µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 15V, Gate Charge: 116 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 52 W.
Weitere Produktangebote STGFW20V60DF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STGFW20V60DF | STMicroelectronics |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 52W 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube |
auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 8 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STGFW20V60DF | STMicroelectronics |
IGBT Transistors PTD IGBT & IPM |
auf Bestellung 255 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STGFW20V60DF |
|
Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 52W 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 52W 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| STGFW20V60DF |
|
Hersteller: STMicroelectronics
IGBT Transistors PTD IGBT & IPM
IGBT Transistors PTD IGBT & IPM
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)