
STGP10M65DF2 STMicroelectronics

IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss
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Technische Details STGP10M65DF2 STMicroelectronics
Description: IGBT 650V 10A TO-220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 96 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-220, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 19ns/91ns, Switching Energy: 120µJ (on), 270µJ (off), Test Condition: 400V, 10A, 22Ohm, 15V, Gate Charge: 28 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A, Power - Max: 115 W.
Weitere Produktangebote STGP10M65DF2 nach Preis ab 1.16 EUR bis 1.53 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STGP10M65DF2 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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STGP10M65DF2 | Hersteller : STMicroelectronics |
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STGP10M65DF2 Produktcode: 113385
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Hersteller : ST |
![]() Gehäuse: TO-220-3 Vces: 650 V Vce: 1,5 V Ic 25: 20 A Ic 100: 10 А Pd 25: 115 W td(on)/td(off) 100-150 Grad: 18/90 |
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STGP10M65DF2 | Hersteller : STMicroelectronics |
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