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STGP10M65DF2

STGP10M65DF2 STMicroelectronics


stgp10m65df2-1850863.pdf Hersteller: STMicroelectronics
IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss
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Technische Details STGP10M65DF2 STMicroelectronics

Description: IGBT 650V 10A TO-220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 96 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-220, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 19ns/91ns, Switching Energy: 120µJ (on), 270µJ (off), Test Condition: 400V, 10A, 22Ohm, 15V, Gate Charge: 28 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A, Power - Max: 115 W.

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STGP10M65DF2 STGP10M65DF2 Hersteller : STMICROELECTRONICS en.DM00155754.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGP10M65DF2 - IGBT, 20 A, 1.55 V, 115 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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STGP10M65DF2 STGP10M65DF2 Hersteller : STMicroelectronics 1769205094753272dm0015.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STGP10M65DF2 STGP10M65DF2 Hersteller : STMicroelectronics 1769205094753272dm0015.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STGP10M65DF2 STGP10M65DF2
Produktcode: 113385
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Hersteller : ST dm00155754-770649.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220-3
Vces: 650 V
Vce: 1,5 V
Ic 25: 20 A
Ic 100: 10 А
Pd 25: 115 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 18/90
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STGP10M65DF2 STGP10M65DF2 Hersteller : STMicroelectronics 1769205094753272dm0015.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 115000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STGP10M65DF2 Hersteller : STMicroelectronics 1769205094753272dm0015.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 115mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STGP10M65DF2 STGP10M65DF2 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00155754.pdf Description: IGBT 650V 10A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 96 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/91ns
Switching Energy: 120µJ (on), 270µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 28 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 115 W
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