STGP10M65DF2 STMicroelectronics
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Technische Details STGP10M65DF2 STMicroelectronics
Description: IGBT 650V 10A TO-220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 96 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-220, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 19ns/91ns, Switching Energy: 120µJ (on), 270µJ (off), Test Condition: 400V, 10A, 22Ohm, 15V, Gate Charge: 28 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A, Power - Max: 115 W.
Weitere Produktangebote STGP10M65DF2 nach Preis ab 1.19 EUR bis 3.41 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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STGP10M65DF2 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 10A; 115W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 10A Power dissipation: 115W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Mounting: THT Gate charge: 28nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STGP10M65DF2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 10A; 115W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 10A Power dissipation: 115W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Mounting: THT Gate charge: 28nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
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STGP10M65DF2 | Hersteller : STMicroelectronics |
IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss |
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STGP10M65DF2 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGP10M65DF2 - IGBT, 20 A, 1.55 V, 115 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 115W Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 |
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STGP10M65DF2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 263 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGP10M65DF2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGP10M65DF2 Produktcode: 113385 |
Hersteller : ST |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule Gehäuse: TO-220-3 Vces: 650 V Vce: 1,5 V Ic 25: 20 A Ic 100: 10 А Pd 25: 115 W td(on)/td(off) 100-150 Grad: 18/90 |
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STGP10M65DF2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STGP10M65DF2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 115000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STGP10M65DF2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 115mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STGP10M65DF2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: IGBT 650V 10A TO-220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 96 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-220 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 19ns/91ns Switching Energy: 120µJ (on), 270µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 22Ohm, 15V Gate Charge: 28 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 115 W |
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