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STGP10M65DF2

STGP10M65DF2

dm00155754-770649.pdf
Produktcode: 113385
Hersteller: ST
Gehäuse: TO-220-3
Vces: 650 V
Vce: 1,5 V
Ic 25: 20 A
Ic 100: 10 А
Pd 25: 115 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 18/90
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STGP10M65DF2 STGP10M65DF2 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00155754.pdf IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss
auf Bestellung 614 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.83 EUR
10+1.8 EUR
100+1.21 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.88 EUR
2000+0.81 EUR
5000+0.75 EUR
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STGP10M65DF2 STGP10M65DF2 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00155754.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 20A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 96 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/91ns
Switching Energy: 120µJ (on), 270µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 28 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 115 W
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.83 EUR
10+1.8 EUR
100+1.21 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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STGP10M65DF2 STGP10M65DF2 Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD97D56A928D0800D3&compId=STGP10M65DF2.pdf?ci_sign=5e0e29a7d49fea2f303af7d189e04fe1ceb0e228 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 10A; 115W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 10A
Power dissipation: 115W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.3 EUR
10+7.15 EUR
14+5.11 EUR
37+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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STGP10M65DF2 STGP10M65DF2 Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD97D56A928D0800D3&compId=STGP10M65DF2.pdf?ci_sign=5e0e29a7d49fea2f303af7d189e04fe1ceb0e228 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 10A; 115W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 10A
Power dissipation: 115W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.3 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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STGP10M65DF2 STGP10M65DF2 Hersteller : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0003061675-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STGP10M65DF2 - IGBT, 20 A, 1.55 V, 115 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 20A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 754 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STGP10M65DF2 STGP10M65DF2 Hersteller : STMicroelectronics 1769205094753272dm0015.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STGP10M65DF2 STGP10M65DF2 Hersteller : STMicroelectronics 1769205094753272dm0015.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 115000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STGP10M65DF2 Hersteller : STMicroelectronics 1769205094753272dm0015.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 115mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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