STGP10NC60KD STMicroelectronics
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Technische Details STGP10NC60KD STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 20A 65W TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 22 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A, Supplier Device Package: TO-220, Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns, Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off), Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 19 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A, Power - Max: 65 W.
Weitere Produktangebote STGP10NC60KD nach Preis ab 0.73 EUR bis 3.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STGP10NC60KD | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STGP10NC60KD | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STGP10NC60KD | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 65W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STGP10NC60KD | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 65W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
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STGP10NC60KD | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STGP10NC60KD | Hersteller : STMicroelectronics |
IGBT Transistors PowerMESH" IGBT |
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STGP10NC60KD | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STGP10NC60KD | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGP10NC60KD - IGBT, 20 A, 2.5 V, 60 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A |
auf Bestellung 1076 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGP10NC60KD | Hersteller : ST |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 STGP10NC60KD TSTGP10nc60kd Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STGP10NC60KD Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Produktcode: 83783 |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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| STGP10NC60KD | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STGP10NC60KD | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: IGBT 600V 20A 65W TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 22 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A Supplier Device Package: TO-220 Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off) Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 19 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 65 W |
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