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STGP10NC60KD STMicroelectronics

Name: STGP10NC60KD
Brand: STMicroelectronics
SKU: 149096-5
Price: 460 EUR
Availability: InStock

Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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Technische Details STGP10NC60KD STMicroelectronics

Description: IGBT 600V 20A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 22 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A, Supplier Device Package: TO-220, Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns, Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off), Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 19 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A, Power - Max: 65 W.

Weitere Produktangebote STGP10NC60KD nach Preis ab 0.43 EUR bis 3.66 EUR

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STGP10NC60KD

Hersteller : STMicroelectronics

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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STGP10NC60KD

Hersteller : STMicroelectronics

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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STGP10NC60KD

Hersteller : STMicroelectronics

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 30A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 19nC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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61+	1.17 EUR
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STGP10NC60KD

Hersteller : STMicroelectronics

Description: IGBT 600V 20A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 65 W

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6+	3.40 EUR
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STGP10NC60KD

Hersteller : STMicroelectronics

IGBTs PowerMESH" IGBT

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Hersteller : STMICROELECTRONICS

SGST-S-A0003149639-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: STMICROELECTRONICS - STGP10NC60KD - IGBT, 20 A, 2.5 V, 60 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 83 Stücke:

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STGP10NC60KD

Hersteller : ST

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 STGP10NC60KD TSTGP10nc60kd
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 50 Stücke:

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STGP10NC60KD

Hersteller : ST

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 STGP10NC60KD TSTGP10nc60kd
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

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STGP10NC60KD Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produktcode: 83783

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