STGP19NC60HD


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Produktcode: 183916
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STGP19NC60HD STGP19NC60HD STMicroelectronics stgp19nc60hd.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 130W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+3.09 EUR
31+2.8 EUR
33+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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STGP19NC60HD STGP19NC60HD STMicroelectronics en.CD00144165.pdf IGBTs 19 A - 600 V very fast IGBT
auf Bestellung 2210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.97 EUR
10+2.51 EUR
100+2.39 EUR
500+2.2 EUR
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STGP19NC60HD STGP19NC60HD STMicroelectronics en.CD00144165.pdf Description: IGBT 600V 40A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/97ns
Switching Energy: 85µJ (on), 189µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 130 W
auf Bestellung 14278 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.91 EUR
50+3.49 EUR
100+3.15 EUR
500+2.58 EUR
1000+2.39 EUR
2000+2.24 EUR
5000+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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STGP19NC60HD stgp19nc60hd.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 130W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: STMicroelectronics
IGBTs 19 A - 600 V very fast IGBT
auf Bestellung 2210 Stücke:
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Description: IGBT 600V 40A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/97ns
Switching Energy: 85µJ (on), 189µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 130 W
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