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STGP30V60DF

STGP30V60DF STMicroelectronics

stgb30v60df-1850830.pdf Hersteller: STMicroelectronics
IGBT Transistors 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
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Technische Details STGP30V60DF STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 53 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-220, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 45ns/189ns, Switching Energy: 383µJ (on), 233µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 163 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 258 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STGP30V60DF STGP30V60DF Hersteller : STMicroelectronics 27dm00079435.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STGP30V60DF STGP30V60DF Hersteller : STMICROELECTRONICS 2371818.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGP30V60DF - IGBT, 60 A, 1.85 V, 258 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 258W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC
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STGP30V60DF STGP30V60DF Hersteller : STMicroelectronics stgb30v60df.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/189ns
Switching Energy: 383µJ (on), 233µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 163 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 258 W
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STGP30V60DF Hersteller : STMicroelectronics stgb30v60df.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 258W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 163nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 120A
Power dissipation: 258W
Case: TO220AB
Collector-emitter voltage: 600V
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