STGP40V60F STMicroelectronics
auf Bestellung 327 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 39+ | 3.79 EUR |
| 50+ | 3.51 EUR |
| 100+ | 3.27 EUR |
| 250+ | 3.05 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details STGP40V60F STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STGP40V60F - IGBT, 80 A, 1.8 V, 283 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 283W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Dauerkollektorstrom: 80A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: V, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Weitere Produktangebote STGP40V60F nach Preis ab 3.07 EUR bis 6.58 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGP40V60F | Hersteller : STMicroelectronics |
 Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-220 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 52ns/208ns Switching Energy: 456µJ (on), 411µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 226 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 283 W |
auf Bestellung 298 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
 |
STGP40V60F | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGP40V60F - IGBT, 80 A, 1.8 V, 283 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 283W Bauform - Transistor: TO-220AB Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: V Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
auf Bestellung 1883 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||
| STGP40V60F | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62500mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||
 |
STGP40V60F | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62500mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
 |
STGP40V60F | Hersteller : STMicroelectronics |
IGBT Transistors 600V 40A Trench Gate 1.8V Vce IGBT |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
| STGP40V60F | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 226nC Kind of package: tube |
Produkt ist nicht verfügbar |