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STGW100H65FB2-4

STGW100H65FB2-4 STMicroelectronics

stgw100h65fb2-4.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 1
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Power - Max: 441 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 145 A
Part Status: Active
Gate Charge: 288 nC
Test Condition: 400V, 100A, 3.3Ohm, 15V
Switching Energy: 1.06mJ (on), 1.14mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/141ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-4
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 100A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
auf Bestellung 68 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+16.15 EUR
30+12.9 EUR
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Technische Details STGW100H65FB2-4 STMicroelectronics

Description: TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 1, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-4, Packaging: Tube, Power - Max: 441 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 145 A, Part Status: Active, Gate Charge: 288 nC, Test Condition: 400V, 100A, 3.3Ohm, 15V, Switching Energy: 1.06mJ (on), 1.14mJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 23ns/141ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-247-4, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 100A, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STGW100H65FB2-4 STGW100H65FB2-4 STMicroelectronics stgw100h65fb2_4-1916582.pdf IGBT Transistors Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.28 EUR
10+13.95 EUR
25+12.92 EUR
100+11.54 EUR
250+11.19 EUR
600+10.22 EUR
1200+8.73 EUR
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STGW100H65FB2-4 STGW100H65FB2-4 STMICROELECTRONICS stgw100h65fb2-4.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGW100H65FB2-4 - IGBT, 145 A, 1.55 V, 441 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 145A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STGW100H65FB2-4 stgw100h65fb2_4-1916582.pdf
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IGBT Transistors Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT
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1+16.28 EUR
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100+11.54 EUR
250+11.19 EUR
600+10.22 EUR
1200+8.73 EUR
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGW100H65FB2-4 - IGBT, 145 A, 1.55 V, 441 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 145A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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