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STGW15S120DF3 STMicroelectronics


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Hersteller: STMicroelectronics
IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar
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Technische Details STGW15S120DF3 STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247, Power - Max: 259 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Gate Charge: 53 nC, Test Condition: 600V, 15A, 22Ohm, 15V, Switching Energy: 540µJ (on), 1.38mJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 23ns/140ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-247-3, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A, Reverse Recovery Time (trr): 270 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STGW15S120DF3 STGW15S120DF3 STMicroelectronics 46dm00116910.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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