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STGW19NC60HD

STGW19NC60HD STMicroelectronics

2346247221960282cd001.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 42A 140W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details STGW19NC60HD STMicroelectronics

Description: IGBT 600V 42A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 31 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A, Supplier Device Package: TO-247 Long Leads, Td (on/off) @ 25°C: 25ns/97ns, Switching Energy: 85µJ (on), 189µJ (off), Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 53 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 42 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 140 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STGW19NC60HD STGW19NC60HD Hersteller : STMicroelectronics 2346247221960282cd001.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 42A 140W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STGW19NC60HD STGW19NC60HD Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A9BCDF9780D2&compId=stgw19nc60hd.pdf?ci_sign=9d39c2cf540cc313cb4c89135147e07ed357eb6f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 21A; 140W; TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 21A
Pulsed collector current: 60A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 140W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 53nC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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20+3.58 EUR
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Description: Transistor: IGBT; 600V; 21A; 140W; TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 21A
Pulsed collector current: 60A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 140W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 53nC
Mounting: THT
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Collector-emitter voltage: 600V
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STGW19NC60HD STGW19NC60HD Hersteller : STMicroelectronics en.CD00144165.pdf IGBTs 19 A - 600 V Very fast IGBT
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STGW19NC60HD STGW19NC60HD Hersteller : STMicroelectronics en.CD00144165.pdf Description: IGBT 600V 42A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/97ns
Switching Energy: 85µJ (on), 189µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 140 W
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STGW19NC60HD STGW19NC60HD Hersteller : STMICROELECTRONICS 2371815.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGW19NC60HD - IGBT, 42 A, 2 V, 140 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerMESH
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 42A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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STGW19NC60HD STGW19NC60HD Hersteller : STMicroelectronics 2346247221960282cd001.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 42A 140000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STGW19NC60HD Hersteller : ST en.CD00144165.pdf 42A; 600V; 140W; IGBT   STGW19NC60HD TSTGW19nc60hd
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