STGW19NC60HD STMicroelectronics
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Technische Details STGW19NC60HD STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 42A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 31 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A, Supplier Device Package: TO-247 Long Leads, Td (on/off) @ 25°C: 25ns/97ns, Switching Energy: 85µJ (on), 189µJ (off), Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 53 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 42 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 140 W.
Weitere Produktangebote STGW19NC60HD nach Preis ab 2.17 EUR bis 7.51 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STGW19NC60HD | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 42A 140W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STGW19NC60HD | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 21A; 140W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 21A Power dissipation: 140W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 53nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STGW19NC60HD | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 21A; 140W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 21A Power dissipation: 140W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 53nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
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STGW19NC60HD | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: IGBT 600V 42A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 31 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A Supplier Device Package: TO-247 Long Leads Td (on/off) @ 25°C: 25ns/97ns Switching Energy: 85µJ (on), 189µJ (off) Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 53 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 42 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 140 W |
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STGW19NC60HD | Hersteller : STMicroelectronics |
IGBT Transistors 19 A - 600 V Very fast IGBT |
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STGW19NC60HD | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGW19NC60HD - IGBT, 42 A, 2 V, 140 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerMESH Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 42A |
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STGW19NC60HD | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 42A 140000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| STGW19NC60HD | Hersteller : ST |
42A; 600V; 140W; IGBT STGW19NC60HD TSTGW19nc60hd Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STGW19NC60HD | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 42A 140W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| STGW19NC60HD | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 42A 140mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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