STGW20IH125DF STMicroelectronics
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Technische Details STGW20IH125DF STMicroelectronics
Description: IGBT 1250V 40A 259W TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: TO-247, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: -/106ns, Switching Energy: 410µJ (off), Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 68 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1250 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 259 W.
Weitere Produktangebote STGW20IH125DF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STGW20IH125DF | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - STGW20IH125DF - IGBT, 40 A, 2 V, 259 W, 1.25 kV, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 259W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: IH Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.25kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A |
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STGW20IH125DF Produktcode: 180888 |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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STGW20IH125DF | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 1250V 40A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STGW20IH125DF | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 20A; 259W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.25kV Collector current: 20A Power dissipation: 259W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Mounting: THT Gate charge: 69nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STGW20IH125DF | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: IGBT 1250V 40A 259W TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/106ns Switching Energy: 410µJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 68 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1250 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 259 W |
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STGW20IH125DF | Hersteller : STMicroelectronics |
IGBT Transistors 1250V 20A trench gate field-stop IGBT |
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STGW20IH125DF | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 20A; 259W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.25kV Collector current: 20A Power dissipation: 259W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Mounting: THT Gate charge: 69nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
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