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STGW20NC60VD

STGW20NC60VD

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Produktcode: 33417
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Hersteller: ST
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,5 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 60 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 30 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 200 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 31/100
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Technische Details STGW20NC60VD ST

  • IGBT, 600V, 20A, TO-247
  • Transistor Type:IGBT
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Voltage Vces:600V
  • Max Current Ic Continuous a:60A
  • Max Voltage Vce Sat:2.5V
  • Power Dissipation:200W
  • Case Style:TO-247
  • Termination Type:Through Hole
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:600V
  • Current Ic @ Vce Sat:20A
  • Current Temperature:25`C
  • Fall Time Tf:75ns
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Junction Temperature Tj:150`C
  • Max Power Dissipation Ptot:200W
  • Min Junction Temperature, Tj:-55`C
  • No. of Pins:3
  • Power Dissipation Pd:200W
  • Pulsed Current Icm:100A
  • Rise Time:11.5ns
  • SMD Marking:.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STGW20NC60VD STGW20NC60VD STMicroelectronics en.CD00003670.pdf description Description: IGBT 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 44 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/100ns
Switching Energy: 220µJ (on), 330µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 3.3Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 200 W
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.41 EUR
30+4.08 EUR
120+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW20NC60VD STGW20NC60VD STMicroelectronics en.CD00003670.pdf description IGBTs N-Ch 600 Volt 30 Amp
auf Bestellung 5355 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.46 EUR
10+5.55 EUR
100+4.14 EUR
600+3.47 EUR
1200+3.2 EUR
3000+3.01 EUR
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STGW20NC60VD STGW20NC60VD STMICROELECTRONICS SGSTS36659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: STMICROELECTRONICS - STGW20NC60VD - IGBT, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: -
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1662 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.38 EUR
43+5.5 EUR
100+3.94 EUR
500+3.77 EUR
1000+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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STGW20NC60VD
Hersteller: STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 44 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/100ns
Switching Energy: 220µJ (on), 330µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 3.3Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
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Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 200 W
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STGW20NC60VD
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGW20NC60VD - IGBT, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: -
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Stabilisierungsspannung Vz, V: 12 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 5 mA
Verlustleistung Pd, W: 0,4 W
Montage: THT
Temperaturkoeffizient: 8,4 mV/K
verfügbar: 1086 St.
  • 1086 St. - stock Köln
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  • 20 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRL3705NPBF
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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 89 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,01 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3600/98
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
verfügbar: 6 St.
  • 6 St. - stock Köln
auf Bestellung: 124 St.
  • 124 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2+1.18 EUR
10+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
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10uF 35V EHV SMD sizeB (EHV100M35RB) (elektrolytischer Kondensator SMD)
Produktcode: 23400
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10uF 35V EHV SMD sizeB (EHV100M35RB) (elektrolytischer Kondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische SMD
Kapazität: 10 µF
Nennspannung: 35 V
Reihe: EHV, SMD Hochtemperatur
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: SMD size B
Max. Welligkeitsstrom: 27 mA
erwartet: 159 St.
  • 159 St. - erwartet
auf Bestellung: 95 St.
  • 95 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.12 EUR
17+0.071 EUR
100+0.063 EUR
1000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
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