
STGW20NC60VD

Produktcode: 33417
Hersteller: STGehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 2,5
Ic 25: 60
Ic 100: 30
Pd 25: 200
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 31/100
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15 Stück - erwartet
Anzahl | Preis |
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1+ | 2.8 EUR |
10+ | 2.52 EUR |
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Technische Details STGW20NC60VD ST
- IGBT, 600V, 20A, TO-247
- Transistor Type:IGBT
- Transistor Polarity:N Channel
- Voltage Vces:600V
- Max Current Ic Continuous a:60A
- Max Voltage Vce Sat:2.5V
- Power Dissipation:200W
- Case Style:TO-247
- Termination Type:Through Hole
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:600V
- Current Ic @ Vce Sat:20A
- Current Temperature:25`C
- Fall Time Tf:75ns
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Junction Temperature Tj:150`C
- Max Power Dissipation Ptot:200W
- Min Junction Temperature, Tj:-55`C
- No. of Pins:3
- Power Dissipation Pd:200W
- Pulsed Current Icm:100A
- Rise Time:11.5ns
- SMD Marking:.
Weitere Produktangebote STGW20NC60VD nach Preis ab 1.49 EUR bis 6.46 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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STGW20NC60VD | Hersteller : STMicroelectronics |
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auf Bestellung 6090 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGW20NC60VD | Hersteller : STMicroelectronics |
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auf Bestellung 6090 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGW20NC60VD | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 30A Power dissipation: 200W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1676 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STGW20NC60VD | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 30A Power dissipation: 200W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
auf Bestellung 1676 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGW20NC60VD | Hersteller : STMicroelectronics |
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auf Bestellung 1371 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STGW20NC60VD | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 44 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-247-3 Td (on/off) @ 25°C: 31ns/100ns Switching Energy: 220µJ (on), 330µJ (off) Test Condition: 390V, 20A, 3.3Ohm, 15V Gate Charge: 100 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 200 W |
auf Bestellung 406 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STGW20NC60VD | Hersteller : STMicroelectronics |
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auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGW20NC60VD | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 60A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 379 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGW20NC60VD | Hersteller : ST |
![]() Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STGW20NC60VD | Hersteller : STMicroelectronics |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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STGW20NC60VD | Hersteller : STMicroelectronics |
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