STGW20NC60VD STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details STGW20NC60VD STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 60A 200W TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 44 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-247-3, Td (on/off) @ 25°C: 31ns/100ns, Switching Energy: 220µJ (on), 330µJ (off), Test Condition: 390V, 20A, 3.3Ohm, 15V, Gate Charge: 100 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 200 W.
Weitere Produktangebote STGW20NC60VD nach Preis ab 2.13 EUR bis 7.36 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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STGW20NC60VD | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 30A Power dissipation: 200W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
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STGW20NC60VD | Hersteller : STMicroelectronics |
IGBT Transistors N-Ch 600 Volt 30 Amp |
auf Bestellung 1580 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STGW20NC60VD | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: IGBT 600V 60A 200W TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 44 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-247-3 Td (on/off) @ 25°C: 31ns/100ns Switching Energy: 220µJ (on), 330µJ (off) Test Condition: 390V, 20A, 3.3Ohm, 15V Gate Charge: 100 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 200 W |
auf Bestellung 149 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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STGW20NC60VD | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 492 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGW20NC60VD | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGW20NC60VD - IGBT, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A |
auf Bestellung 1036 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGW20NC60VD | Hersteller : ST |
60A; 600V; 200W; IGBT STGW20NC60VD STMicroelectronics TSTGW20nc60vd Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STGW20NC60VD Produktcode: 33417 |
Hersteller : ST |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule Gehäuse: TO-247 Vces: 600 Vce: 2,5 Ic 25: 60 Ic 100: 30 Pd 25: 200 td(on)/td(off) 100-150 Grad: 31/100 |
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STGW20NC60VD | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| STGW20NC60VD | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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