STGW20V60DF STMicroelectronics
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Technische Details STGW20V60DF STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 40 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 38ns/149ns, Switching Energy: 200µJ (on), 130µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 15V, Gate Charge: 116 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 167 W.
Weitere Produktangebote STGW20V60DF nach Preis ab 2.53 EUR bis 9.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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STGW20V60DF | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGW20V60DF | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 167W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 167W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Mounting: THT Gate charge: 116nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STGW20V60DF | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 167W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 167W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Mounting: THT Gate charge: 116nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
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STGW20V60DF | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 40 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 38ns/149ns Switching Energy: 200µJ (on), 130µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 15V Gate Charge: 116 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 167 W |
auf Bestellung 563 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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STGW20V60DF | Hersteller : STMicroelectronics |
IGBT Transistors 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT |
auf Bestellung 2891 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STGW20V60DF | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGW20V60DF | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGW20V60DF - IGBT, 40 A, 1.8 V, 167 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: V Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A |
auf Bestellung 52 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGW20V60DF Produktcode: 116622 |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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| STGW20V60DF | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STGW20V60DF | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |