STGW20V60DF
Produktcode: 116622
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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STGW20V60DF | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 404 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGW20V60DF | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGW20V60DF | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 782 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGW20V60DF | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGW20V60DF | Hersteller : STMicroelectronics |
IGBTs 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STGW20V60DF | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 40 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 38ns/149ns Switching Energy: 200µJ (on), 130µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 15V Gate Charge: 116 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 167 W |
auf Bestellung 389 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STGW20V60DF | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGW20V60DF - IGBT, 40 A, 1.8 V, 167 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 40A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: V Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1164 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGW20V60DF | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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