Produkte > STMICROELECTRONICS > STGW25H120F2
STGW25H120F2

STGW25H120F2 STMicroelectronics


stgw25h120f2-1850806.pdf Hersteller: STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
auf Bestellung 665 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.18 EUR
10+9.38 EUR
25+8.85 EUR
100+7.59 EUR
250+7.16 EUR
600+6.74 EUR
1200+5.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details STGW25H120F2 STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 29ns/130ns, Switching Energy: 600µJ (on), 700µJ (off), Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 100 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A, Power - Max: 375 W.

Weitere Produktangebote STGW25H120F2

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
STGW25H120F2 STGW25H120F2 Hersteller : STMicroelectronics 1660898239299046dm0010.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW25H120F2 STGW25H120F2 Hersteller : STMicroelectronics 1660898239299046dm0010.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW25H120F2 STGW25H120F2 Hersteller : STMicroelectronics 1660898239299046dm0010.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW25H120F2 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00109190.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 100A
Type of transistor: IGBT
Collector current: 25A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
Gate charge: 0.1µC
Power dissipation: 375W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW25H120F2 STGW25H120F2 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00109190.pdf Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/130ns
Switching Energy: 600µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 375 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW25H120F2 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00109190.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 100A
Type of transistor: IGBT
Collector current: 25A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
Gate charge: 0.1µC
Power dissipation: 375W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH