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STGW30NC60KD

STGW30NC60KD STMicroelectronics

9657cd00175352.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details STGW30NC60KD STMicroelectronics

Description: IGBT 600V 60A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 40 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-247-3, Td (on/off) @ 25°C: 29ns/120ns, Switching Energy: 350µJ (on), 435µJ (off), Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 96 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 125 A, Power - Max: 200 W.

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STGW30NC60KD STGW30NC60KD Hersteller : STMicroelectronics 9657cd00175352.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STGW30NC60KD STGW30NC60KD Hersteller : STMicroelectronics STGW30NC60KD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 28A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 125A
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGW30NC60KD STGW30NC60KD Hersteller : STMicroelectronics STGW30NC60KD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 28A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 125A
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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STGW30NC60KD STGW30NC60KD Hersteller : STMicroelectronics en.CD00175352.pdf Description: IGBT 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/120ns
Switching Energy: 350µJ (on), 435µJ (off)
Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 96 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 125 A
Power - Max: 200 W
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STGW30NC60KD STGW30NC60KD Hersteller : STMicroelectronics 9657cd00175352.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STGW30NC60KD STGW30NC60KD Hersteller : STMICROELECTRONICS 1700548.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGW30NC60KD - IGBT, 60 A, 2.1 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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STGW30NC60KD
Produktcode: 155289
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STGW30NC60KD STGW30NC60KD Hersteller : STMicroelectronics stgw30nc60kd-1851186.pdf IGBTs 30A 600v IGBT
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