STGW30NC60KD STMicroelectronics
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Technische Details STGW30NC60KD STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 60A 200W TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 40 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-247-3, Td (on/off) @ 25°C: 29ns/120ns, Switching Energy: 350µJ (on), 435µJ (off), Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 96 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 125 A, Power - Max: 200 W.
Weitere Produktangebote STGW30NC60KD nach Preis ab 2.72 EUR bis 17.73 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STGW30NC60KD | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 200W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 28A Power dissipation: 200W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 125A Mounting: THT Gate charge: 96nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STGW30NC60KD | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 200W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 28A Power dissipation: 200W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 125A Mounting: THT Gate charge: 96nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
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STGW30NC60KD | Hersteller : STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STGW30NC60KD | Hersteller : STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 321 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGW30NC60KD | Hersteller : STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGW30NC60KD | Hersteller : STMicroelectronics | IGBT Transistors 30A 600v IGBT |
auf Bestellung 2165 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STGW30NC60KD | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: IGBT 600V 60A 200W TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 40 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-247-3 Td (on/off) @ 25°C: 29ns/120ns Switching Energy: 350µJ (on), 435µJ (off) Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 96 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 125 A Power - Max: 200 W |
auf Bestellung 467 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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STGW30NC60KD | Hersteller : STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGW30NC60KD | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGW30NC60KD - IGBT, 60 A, 2.1 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A |
auf Bestellung 1728 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGW30NC60KD Produktcode: 155289 |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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STGW30NC60KD | Hersteller : STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STGW30NC60KD | Hersteller : STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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