STGW30NC60KD
Produktcode: 155289
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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STGW30NC60KD | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 5190 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGW30NC60KD | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 5190 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGW30NC60KD | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 200W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 28A Power dissipation: 200W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 125A Mounting: THT Gate charge: 96nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGW30NC60KD | Hersteller : STMicroelectronics |
IGBTs 30A 600v IGBT |
auf Bestellung 517 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STGW30NC60KD | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: IGBT 600V 60A TO-247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 40 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-247-3 Td (on/off) @ 25°C: 29ns/120ns Switching Energy: 350µJ (on), 435µJ (off) Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 96 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 125 A Power - Max: 200 W |
auf Bestellung 2562 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STGW30NC60KD | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGW30NC60KD - IGBT, 60 A, 2.1 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 60A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 388 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGW30NC60KD | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGW30NC60KD | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGW30NC60KD | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STGW30NC60KD | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STGW30NC60KD | Hersteller : STM |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |




