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STGW30NC60WD | Hersteller : STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 164 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGW30NC60WD | Hersteller : STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 162 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGW30NC60WD | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 30A Power dissipation: 200W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STGW30NC60WD | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 30A Power dissipation: 200W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
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STGW30NC60WD | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: IGBT 600V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 40 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-247-3 Td (on/off) @ 25°C: 29.5ns/118ns Switching Energy: 305µJ (on), 181µJ (off) Test Condition: 390V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 102 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 200 W |
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STGW30NC60WD | Hersteller : STMicroelectronics | IGBT Transistors PowerMESH" IGBT |
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STGW30NC60WD | Hersteller : STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STGW30NC60WD | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGW30NC60WD - IGBT, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 200W Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V usEccn: EAR99 |
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STGW30NC60WD | Hersteller : STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STGW30NC60WD | Hersteller : STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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T184-52 Kern Produktcode: 23609 |
Hersteller: China
Transformatoren, Netzfilter, Drosseln > Kerne, Rahmen, Klammern
Gruppe: Kern
Serie: T
Typ: Ring
Größe, Typ: 46,7/24,1/18,0
Beschreibung: ringförmig
Material: zerstäubt Eisen
Durchlässigkeit, µi: -
Transformatoren, Netzfilter, Drosseln > Kerne, Rahmen, Klammern
Gruppe: Kern
Serie: T
Typ: Ring
Größe, Typ: 46,7/24,1/18,0
Beschreibung: ringförmig
Material: zerstäubt Eisen
Durchlässigkeit, µi: -
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T157-52 Kern Produktcode: 23608 |
Hersteller: China
Transformatoren, Netzfilter, Drosseln > Kerne, Rahmen, Klammern
Gruppe: Kern
Serie: T
Typ: Ring
Größe, Typ: 39,9/24,1/14,5
Beschreibung: Kern T39,9/24,1/14,5 Iron Powder AL=99nH
Material: zerstäubt Eisen
Durchlässigkeit, µi: -
Transformatoren, Netzfilter, Drosseln > Kerne, Rahmen, Klammern
Gruppe: Kern
Serie: T
Typ: Ring
Größe, Typ: 39,9/24,1/14,5
Beschreibung: Kern T39,9/24,1/14,5 Iron Powder AL=99nH
Material: zerstäubt Eisen
Durchlässigkeit, µi: -
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10+ | 1.54 EUR |
T132-52 Kern Produktcode: 23606 |
Hersteller: China
Transformatoren, Netzfilter, Drosseln > Kerne, Rahmen, Klammern
Gruppe: Kern
Serie: T
Typ: Ring
Größe, Typ: 33,0/17,8/11,1
Beschreibung: Kern T33,0/17,8/11,1 Iron Powder AL=95nH
Material: zerstäubt Eisen
Durchlässigkeit, µi: -
Transformatoren, Netzfilter, Drosseln > Kerne, Rahmen, Klammern
Gruppe: Kern
Serie: T
Typ: Ring
Größe, Typ: 33,0/17,8/11,1
Beschreibung: Kern T33,0/17,8/11,1 Iron Powder AL=95nH
Material: zerstäubt Eisen
Durchlässigkeit, µi: -
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560pF 2kV NP0 K(+/-10%) D<=7,5mm (KB3D561K-L516BD7.5-Hitano) Produktcode: 23437 |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische Hochvolt
Kapazität: 560pF
Nennspannung: 2000V
TKE: NP0
Präzision: ±10% K
Abmessungen: D<=7,5mm
Part Nummer: KB3D561K-L516BD7.5
№ 8: 8532 24 00 00
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische Hochvolt
Kapazität: 560pF
Nennspannung: 2000V
TKE: NP0
Präzision: ±10% K
Abmessungen: D<=7,5mm
Part Nummer: KB3D561K-L516BD7.5
№ 8: 8532 24 00 00
verfügbar: 1570 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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100+ | 0.045 EUR |
1000+ | 0.042 EUR |
PC817A Produktcode: 18418 |
Hersteller: Sharp
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: DIP-4
Typ: Optokoppler, CTR: 80...160%
U-isol, kV: 5
I-ein/ I-ausg, mA: 50/50
U ausg, V: 35
Ton/Toff, µs: 18/18
Роб.темп.,°С: -30…+100°C
№ 8: 8542 39 90 00
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: DIP-4
Typ: Optokoppler, CTR: 80...160%
U-isol, kV: 5
I-ein/ I-ausg, mA: 50/50
U ausg, V: 35
Ton/Toff, µs: 18/18
Роб.темп.,°С: -30…+100°C
№ 8: 8542 39 90 00
auf Bestellung 1047 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 6000 Stück:
6000 Stück - erwartet 01.05.2024Anzahl | Preis ohne MwSt |
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