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STGW30NC60WD

STGW30NC60WD

datasheet_stgw30nc60wd.pdf
Produktcode: 19151
Hersteller: ST
Gehäuse: TO-247
Vce: 600
Ic 100: 30
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1+3.36 EUR
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STGW30NC60WD STGW30NC60WD Hersteller : STMicroelectronics cd0007077.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STGW30NC60WD STGW30NC60WD Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F7ED942B58811C&compId=STGW30NC60WD-dte.pdf?ci_sign=b8c0a7c8d642528e6e13f3f188f9b2ef1e953bfa Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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12+6.21 EUR
18+4.19 EUR
19+3.96 EUR
120+3.8 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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STGW30NC60WD STGW30NC60WD Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F7ED942B58811C&compId=STGW30NC60WD-dte.pdf?ci_sign=b8c0a7c8d642528e6e13f3f188f9b2ef1e953bfa Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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STGW30NC60WD STGW30NC60WD Hersteller : STMicroelectronics stgw30nc60wd.pdf IGBTs PowerMESH" IGBT
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STGW30NC60WD STGW30NC60WD Hersteller : STMicroelectronics stgw30nc60wd.pdf Description: IGBT 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 29.5ns/118ns
Switching Energy: 305µJ (on), 181µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 102 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 200 W
auf Bestellung 398 Stücke:
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2+9.12 EUR
30+5.16 EUR
120+4.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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STGW30NC60WD STGW30NC60WD Hersteller : STMicroelectronics 11728.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 611 Stücke:
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STGW30NC60WD STGW30NC60WD Hersteller : STMICROELECTRONICS SGSTS31082-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STGW30NC60WD - IGBT, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 611 Stücke:
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STGW30NC60WD Hersteller : STMicroelectronics 11728.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IR2101PBF
Produktcode: 22631
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description ir2101.pdf
IR2101PBF
Hersteller: IR
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: DIP-8
Uc, V: 600
I o +/-, A: 0,13/0,27
V out, V: 10-20
T on/T off, ns: 160/150
Bemerkung: Treiber für starke Feld- Transistore
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
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erwartet 50 Stück:
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SMAJ5.0CA
Produktcode: 22307
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SMAJ_.pdf
SMAJ5.0CA
Hersteller: YJ/DIODES
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: SMA (DO-214AC)
P, Wt: 400
U Durchbruch: 5
n: 5
n: 43,5
n: 9,2
Монтаж: SMD
№ 8: 8541 10 00 90
auf Bestellung 2912 Stück:
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10+0.14 EUR
100+0.11 EUR
1000+0.079 EUR
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PC817A
Produktcode: 18418
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pc817a.pdf
PC817A
Hersteller: Sharp
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: DIP-4
Typ: Optokoppler, CTR: 80...160%
U-isol, kV: 5
I-ein/ I-ausg, mA: 50/50
U ausg, V: 35
Ton/Toff, µs: 18/18
Роб.темп.,°С: -30…+100°C
№ 8: 8542 39 90 00
auf Bestellung 5654 Stück:
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1+0.25 EUR
10+0.12 EUR
100+0.088 EUR
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UC3843BD1 (SO-8)
Produktcode: 14241
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UC2842B,3B,4B,5B,3842B,3B,4B,5B.pdf
UC3843BD1 (SO-8)
Hersteller: ST
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-8
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 30V
I-ausg., A: 1,0A
Fosc, kHz: 250
Temperaturbereich: -65…+150°C
auf Bestellung 430 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.42 EUR
10+0.29 EUR
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BZX55-C18
Produktcode: 2473
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BZX55.pdf
BZX55-C18
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-35
Ustab.,V: 18
Istab.direkt,A: 0,25
Pmax: 0,4
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 14.4mV/K
auf Bestellung 904 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+0.03 EUR
100+0.028 EUR
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