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STGW30V60DF

STGW30V60DF STMicroelectronics

27dm00079435.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 258W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details STGW30V60DF STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 53 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 45ns/189ns, Switching Energy: 383µJ (on), 233µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 163 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 258 W.

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STGW30V60DF STGW30V60DF Hersteller : STMicroelectronics 27dm00079435.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 258W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STGW30V60DF STGW30V60DF Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78A9EC3659D7FC745&compId=STGW30V60DF.pdf?ci_sign=b50114384a1ef145268bdf1c9e642dc458546fae Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 258W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 258W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 163nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 258W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 258W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 163nC
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STGW30V60DF STGW30V60DF Hersteller : STMicroelectronics stgb30v60df.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/189ns
Switching Energy: 383µJ (on), 233µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 163 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 258 W
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STGW30V60DF STGW30V60DF Hersteller : STMicroelectronics stgb30v60df-1850830.pdf IGBTs 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
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STGW30V60DF STGW30V60DF Hersteller : STMicroelectronics 27dm00079435.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 181000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STGW30V60DF STGW30V60DF Hersteller : STMICROELECTRONICS 2371818.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGW30V60DF - IGBT, 60 A, 1.85 V, 258 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 258W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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STGW30V60DF
Produktcode: 161376
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STGW30V60DF STGW30V60DF Hersteller : STMicroelectronics 27dm00079435.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 258W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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