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Technische Details STGW35NB60SD STM
Description: IGBT 600V 70A 200W TO247, Power - Max: 200 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector (Ic) (Max): 70 A, Gate Charge: 83 nC, Test Condition: 480V, 20A, 100Ohm, 15V, Switching Energy: 840µJ (on), 7.4mJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 92ns/1.1µs, Supplier Device Package: TO-247-3, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A, Reverse Recovery Time (trr): 44 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
Weitere Produktangebote STGW35NB60SD nach Preis ab 7.96 EUR bis 10.79 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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STGW35NB60SD | STMicroelectronics |
IGBT Transistors N Ch 35A 600V |
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| STGW35NB60SD |
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Hersteller: STMicroelectronics
IGBT Transistors N Ch 35A 600V
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