STGW39NC60VD STMicroelectronics
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Technische Details STGW39NC60VD STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STGW39NC60VD - IGBT, 80 A, 2.5 V, 250 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Weitere Produktangebote STGW39NC60VD nach Preis ab 3.35 EUR bis 13.31 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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STGW39NC60VD | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STGW39NC60VD | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 220A Mounting: THT Gate charge: 126nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STGW39NC60VD | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 220A Mounting: THT Gate charge: 126nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
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STGW39NC60VD | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: IGBT 600V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 45 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247-3 Td (on/off) @ 25°C: 33ns/178ns Switching Energy: 333µJ (on), 537µJ (off) Test Condition: 390V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 126 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A Power - Max: 250 W |
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STGW39NC60VD | Hersteller : STMicroelectronics |
IGBT Transistors N-CHANNEL MFT |
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STGW39NC60VD | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGW39NC60VD - IGBT, 80 A, 2.5 V, 250 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
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STGW39NC60VD | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| STGW39NC60VD | Hersteller : ST |
80A; 600V; 250W; IGBT STGW39NC60VD STMicroelectronics TSTGW39nc60vd Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
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STGW39NC60VD Produktcode: 116027 |
Hersteller : ST |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule Gehäuse: TO-247 Vces: 600 V Vce: 1,7 V Ic 25: 80 A Ic 100: 40 A Pd 25: 250 W td(on)/td(off) 100-150 Grad: 33/178 |
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STGW39NC60VD | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| STGW39NC60VD | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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