STGW39NC60VD


stgw39nc60vd.pdf
Produktcode: 116027
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller: ST
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В
Sättigungsspannung Vce, V: 1,7 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 80 А
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 40 А
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 250 Вт
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 33/178
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPrivatkunde
1+10.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote STGW39NC60VD nach Preis ab 3.96 EUR bis 12.22 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STGW39NC60VD STGW39NC60VD STMicroelectronics cd0007768.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+4.64 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW39NC60VD STGW39NC60VD STMicroelectronics cd0007768.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW39NC60VD STGW39NC60VD STMicroelectronics en.CD00077683.pdf IGBTs N-CHANNEL MFT
auf Bestellung 747 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.41 EUR
10+6.83 EUR
100+5.02 EUR
600+4.46 EUR
1200+3.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW39NC60VD STGW39NC60VD STMicroelectronics en.CD00077683.pdf Description: IGBT 600V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/178ns
Switching Energy: 333µJ (on), 537µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 126 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 250 W
auf Bestellung 505 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.47 EUR
30+5.89 EUR
120+4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW39NC60VD STGW39NC60VD STMICROELECTRONICS 2307225.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGW39NC60VD - IGBT, 80 A, 2.5 V, 250 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: -
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.22 EUR
36+6.5 EUR
100+4.97 EUR
500+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW39NC60VD STGW39NC60VD STMicroelectronics STGW39NC60VD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 250W
Gate charge: 126nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 220A
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW39NC60VD cd0007768.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
600+4.64 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW39NC60VD cd0007768.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
600+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW39NC60VD en.CD00077683.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
IGBTs N-CHANNEL MFT
auf Bestellung 747 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+10.41 EUR
10+6.83 EUR
100+5.02 EUR
600+4.46 EUR
1200+3.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW39NC60VD en.CD00077683.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/178ns
Switching Energy: 333µJ (on), 537µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 126 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 250 W
auf Bestellung 505 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+10.47 EUR
30+5.89 EUR
120+4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW39NC60VD 2307225.pdf
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGW39NC60VD - IGBT, 80 A, 2.5 V, 250 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: -
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+12.22 EUR
36+6.5 EUR
100+4.97 EUR
500+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW39NC60VD STGW39NC60VD.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 250W
Gate charge: 126nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 220A
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH