STGW40H60DLFB STMicroelectronics
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| Anzahl | Preis |
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| 1200+ | 2.66 EUR |
| 2010+ | 2.56 EUR |
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Technische Details STGW40H60DLFB STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STGW40H60DLFB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 283W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HB, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STGW40H60DLFB nach Preis ab 2.67 EUR bis 8.89 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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STGW40H60DLFB | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STGW40H60DLFB | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/142ns Switching Energy: 363µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 210 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 283 W |
auf Bestellung 429 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STGW40H60DLFB | Hersteller : STMicroelectronics |
IGBTs 600V 40A trench gate field-stop IGBT |
auf Bestellung 367 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STGW40H60DLFB | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGW40H60DLFB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 283W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HB Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 160 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGW40H60DLFB | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 283000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 2040 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGW40H60DLFB | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STGW40H60DLFB | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STGW40H60DLFB | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 283W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 283W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| STGW40H60DLFB | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 283W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 283W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube |
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