STGW40M120DF3 STMicroelectronics
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Technische Details STGW40M120DF3 STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 355 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 35ns/140ns, Switching Energy: 1.5mJ (on), 2.25mJ (off), Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 125 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 468 W.
Weitere Produktangebote STGW40M120DF3 nach Preis ab 4.13 EUR bis 10.98 EUR
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STGW40M120DF3 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STGW40M120DF3 | Hersteller : STMicroelectronics |
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss |
auf Bestellung 540 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STGW40M120DF3 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 355 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 35ns/140ns Switching Energy: 1.5mJ (on), 2.25mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 125 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 468 W |
auf Bestellung 256 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STGW40M120DF3 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGW40M120DF3 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 468 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 468W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 695 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGW40M120DF3 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STGW40M120DF3 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| STGW40M120DF3 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| STGW40M120DF3 | Hersteller : STMicroelectronics |
STGW40M120DF3 THT IGBT transistors |
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