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STGW40V60DF

STGW40V60DF STMicroelectronics

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A97B32F680D2&compId=stgw40v60df.pdf?ci_sign=f35b6dc525c842b34b8c3da2088ec6ae356e58ea Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 80A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 80A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 226nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 396 Stücke:
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Technische Details STGW40V60DF STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 41 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 52ns/208ns, Switching Energy: 456µJ (on), 411µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 226 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 283 W.

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STGW40V60DF STGW40V60DF Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A97B32F680D2&compId=stgw40v60df.pdf?ci_sign=f35b6dc525c842b34b8c3da2088ec6ae356e58ea Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 80A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 80A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 226nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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STGW40V60DF STGW40V60DF Hersteller : STMicroelectronics stgw40v60df.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STGW40V60DF STGW40V60DF Hersteller : STMicroelectronics stgw40v60df.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STGW40V60DF STGW40V60DF Hersteller : STMicroelectronics en.DM00080360.pdf IGBTs 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
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STGW40V60DF STGW40V60DF Hersteller : STMicroelectronics en.DM00080360.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/208ns
Switching Energy: 456µJ (on), 411µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 226 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
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STGW40V60DF STGW40V60DF Hersteller : STMicroelectronics 2217dm00080360.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STGW40V60DF STGW40V60DF Hersteller : STMICROELECTRONICS 2371822.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGW40V60DF - IGBT, 80 A, 1.8 V, 283 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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STGW40V60DF
Produktcode: 156078
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STGW40V60DF Hersteller : STMicroelectronics 2217dm00080360.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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