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STGW40V60DF

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Produktcode: 156078
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STGW40V60DF STGW40V60DF STMicroelectronics stgw40v60df.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
78+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
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STGW40V60DF STGW40V60DF STMicroelectronics stgw40v60df.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STGW40V60DF STGW40V60DF STMicroelectronics stgw40v60df.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+2.49 EUR
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STGW40V60DF STGW40V60DF STMicroelectronics stgw40v60df.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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600+2.53 EUR
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STGW40V60DF STGW40V60DF STMicroelectronics stgw40v60df.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 48 Stücke:
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36+4.96 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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STGW40V60DF STGW40V60DF STMicroelectronics stgw40v60df.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 80A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 80A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 226nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 727 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+5.19 EUR
25+3.51 EUR
27+3.25 EUR
30+3 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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STGW40V60DF STGW40V60DF STMicroelectronics en.DM00080360.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/208ns
Switching Energy: 456µJ (on), 411µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 226 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.83 EUR
30+4.32 EUR
120+3.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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STGW40V60DF STGW40V60DF STMicroelectronics en.DM00080360.pdf IGBTs 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
auf Bestellung 841 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.91 EUR
10+4.38 EUR
100+3.61 EUR
600+3.2 EUR
1200+2.93 EUR
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STGW40V60DF STGW40V60DF STMICROELECTRONICS 2371822.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGW40V60DF - IGBT, 80 A, 1.8 V, 283 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 659 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STGW40V60DF stgw40v60df.pdf
STGW40V60DF
Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STGW40V60DF
Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STGW40V60DF
Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STGW40V60DF
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 80A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 80A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 226nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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STGW40V60DF
Hersteller: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/208ns
Switching Energy: 456µJ (on), 411µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 226 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
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120+3.55 EUR
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STGW40V60DF
Hersteller: STMicroelectronics
IGBTs 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
auf Bestellung 841 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+7.91 EUR
10+4.38 EUR
100+3.61 EUR
600+3.2 EUR
1200+2.93 EUR
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STGW40V60DF
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGW40V60DF - IGBT, 80 A, 1.8 V, 283 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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