STGW40V60F

STGW40V60F STMicroelectronics


en.DM00086251.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 80A 283W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/208ns
Switching Energy: 456µJ (on), 411µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 226 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
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Technische Details STGW40V60F STMicroelectronics

Description: IGBT 600V 80A 283W TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 52ns/208ns, Switching Energy: 456µJ (on), 411µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 226 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 283 W.

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STGW40V60F STGW40V60F Hersteller : STMicroelectronics dm00086251-1797711.pdf IGBT Transistors 600V 40A Trench Gate 1.8V Vce IGBT
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STGW40V60F STGW40V60F Hersteller : STMICROELECTRONICS SGSTS51869-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STGW40V60F - IGBT, 80 A, 1.8 V, 283 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench V Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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STGW40V60F STGW40V60F Hersteller : STMicroelectronics stgw40v60f.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62500mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STGW40V60F Hersteller : STMicroelectronics stgw40v60f.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62500mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STGW40V60F Hersteller : STMicroelectronics en.DM00086251.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 226nC
Kind of package: tube
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STGW40V60F Hersteller : STMicroelectronics en.DM00086251.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 226nC
Kind of package: tube
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