STGW60H65DFB
Produktcode: 175740
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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Weitere Produktangebote STGW60H65DFB nach Preis ab 3.28 EUR bis 10.78 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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STGW60H65DFB | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGW60H65DFB | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGW60H65DFB | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGW60H65DFB | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 208 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGW60H65DFB | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60A Power dissipation: 375W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 240A Mounting: THT Gate charge: 306nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
auf Bestellung 114 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGW60H65DFB | STMicroelectronics |
IGBTs 600V 60A trench gate field-stop IGBT |
auf Bestellung 477 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STGW60H65DFB | STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 51ns/160ns Switching Energy: 1.09mJ (on), 626µJ (off) Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 306 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A Power - Max: 375 W |
auf Bestellung 696 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STGW60H65DFB | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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STGW60H65DFB | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGW60H65DFB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: - Verlustleistung: 375W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HB Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 566 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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STGW60H65DFB | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STGW60H65DFB |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 600+ | 3.28 EUR |
| STGW60H65DFB |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 600+ | 3.28 EUR |
| STGW60H65DFB |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 39+ | 4.53 EUR |
| 49+ | 3.5 EUR |
| 120+ | 3.33 EUR |
| STGW60H65DFB |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 39+ | 4.57 EUR |
| 49+ | 3.61 EUR |
| 120+ | 3.49 EUR |
| STGW60H65DFB |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 306nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13+ | 6.76 EUR |
| 15+ | 5.97 EUR |
| 16+ | 5.47 EUR |
| 18+ | 4.82 EUR |
| 20+ | 4.43 EUR |
| 30+ | 3.93 EUR |
| STGW60H65DFB |
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Hersteller: STMicroelectronics
IGBTs 600V 60A trench gate field-stop IGBT
IGBTs 600V 60A trench gate field-stop IGBT
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 9.65 EUR |
| 10+ | 5.46 EUR |
| 100+ | 4.52 EUR |
| 600+ | 3.88 EUR |
| STGW60H65DFB |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 51ns/160ns
Switching Energy: 1.09mJ (on), 626µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 306 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 375 W
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 51ns/160ns
Switching Energy: 1.09mJ (on), 626µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 306 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 375 W
auf Bestellung 696 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 10.78 EUR |
| 30+ | 6.09 EUR |
| 120+ | 5.06 EUR |
| 510+ | 4.3 EUR |
| STGW60H65DFB |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| STGW60H65DFB |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGW60H65DFB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: STMICROELECTRONICS - STGW60H65DFB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 566 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| STGW60H65DFB |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)