STGW60H65DFB
Produktcode: 175740
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller:
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Weitere Produktangebote STGW60H65DFB nach Preis ab 2.66 EUR bis 8.1 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGW60H65DFB | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
STGW60H65DFB | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
STGW60H65DFB | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
STGW60H65DFB | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 208 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
STGW60H65DFB | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60A Power dissipation: 375W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 240A Mounting: THT Gate charge: 306nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
auf Bestellung 216 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
STGW60H65DFB | Hersteller : STMicroelectronics |
IGBTs 600V 60A trench gate field-stop IGBT |
auf Bestellung 784 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
STGW60H65DFB | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 51ns/160ns Switching Energy: 1.09mJ (on), 626µJ (off) Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 306 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A Power - Max: 375 W |
auf Bestellung 406 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
STGW60H65DFB | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
 |
STGW60H65DFB | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGW60H65DFB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HB Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 578 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
|
|
STGW60H65DFB | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
| STGW60H65DFB | Hersteller : STM |
IGBT 650V 80A 375W TO-247 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |