STGW80H65DFB STMicroelectronics
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Technische Details STGW80H65DFB STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 85 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A, Supplier Device Package: TO-247, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 84ns/280ns, Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off), Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 414 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A, Power - Max: 469 W.
Weitere Produktangebote STGW80H65DFB nach Preis ab 3.44 EUR bis 11.53 EUR
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STGW80H65DFB | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 470W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STGW80H65DFB | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 470W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STGW80H65DFB | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 470W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STGW80H65DFB | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 470W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STGW80H65DFB | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 470W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 414nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STGW80H65DFB | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 470W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 414nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
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STGW80H65DFB | Hersteller : STMicroelectronics |
IGBTs Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A |
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STGW80H65DFB | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 470000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STGW80H65DFB | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGW80H65DFB - IGBT, 120 A, 1.6 V, 469 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 469W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HB Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 120A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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STGW80H65DFB Produktcode: 164114
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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| STGW80H65DFB | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 470000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STGW80H65DFB | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 85 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 84ns/280ns Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 414 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A Power - Max: 469 W |
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