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STGW80H65DFB

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Produktcode: 164114
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
STGW80H65DFB STGW80H65DFB STMicroelectronics stgw80h65dfb.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 116 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+4.4 EUR
20+3.69 EUR
30+3.66 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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STGW80H65DFB STGW80H65DFB STMicroelectronics stgwt80h65dfb.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 470W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 439 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+8.36 EUR
30+4.75 EUR
60+4.21 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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STGW80H65DFB STGW80H65DFB STMicroelectronics stgwt80h65dfb.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 470W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 273 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+8.61 EUR
30+4.55 EUR
60+3.59 EUR
120+3.42 EUR
270+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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STGW80H65DFB STGW80H65DFB STMicroelectronics stgwt80h65dfb.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 470W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 273 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+8.68 EUR
29+4.92 EUR
30+4.76 EUR
60+3.83 EUR
120+3.73 EUR
270+3.18 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW80H65DFB STGW80H65DFB STMicroelectronics en.DM00079449.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 84ns/280ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 414 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 469 W
auf Bestellung 2441 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.57 EUR
30+5.44 EUR
120+4.52 EUR
510+3.86 EUR
1020+3.61 EUR
2010+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STGW80H65DFB STGW80H65DFB STMicroelectronics en.DM00079449.pdf IGBTs Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A
auf Bestellung 4146 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.68 EUR
10+5.51 EUR
100+4.59 EUR
600+4.08 EUR
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STGW80H65DFB STGW80H65DFB STMICROELECTRONICS 2443309.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGW80H65DFB - IGBT, 120 A, 1.6 V, 469 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1967 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STGW80H65DFB stgw80h65dfb.pdf
STGW80H65DFB
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 116 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
17+4.4 EUR
20+3.69 EUR
30+3.66 EUR
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STGW80H65DFB
Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 470W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 439 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
18+8.36 EUR
30+4.75 EUR
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Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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STGW80H65DFB
Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 470W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 273 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
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30+4.55 EUR
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STGW80H65DFB
Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 470W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 273 Stücke:
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17+8.68 EUR
29+4.92 EUR
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STGW80H65DFB
Hersteller: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 84ns/280ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 414 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 469 W
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1020+3.61 EUR
2010+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STGW80H65DFB
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IGBTs Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A
auf Bestellung 4146 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1+9.68 EUR
10+5.51 EUR
100+4.59 EUR
600+4.08 EUR
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STGW80H65DFB
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGW80H65DFB - IGBT, 120 A, 1.6 V, 469 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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