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STGW80V60DF

STGW80V60DF STMicroelectronics

en.DM00079438.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Exposed Pad
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/220ns
Switching Energy: 1.8mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 448 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 469 W
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Technische Details STGW80V60DF STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 600V 120A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Exposed Pad, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 60 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 80A, Supplier Device Package: TO-247, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 60ns/220ns, Switching Energy: 1.8mJ (on), 1mJ (off), Test Condition: 400V, 80A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 448 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A, Power - Max: 469 W.

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STGW80V60DF STGW80V60DF Hersteller : STMicroelectronics en.DM00079438.pdf IGBTs Trench gate V series 600V 80A HiSpd
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STGW80V60DF STGW80V60DF Hersteller : STMicroelectronics 1173dm00079438.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 469W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STGW80V60DF STGW80V60DF Hersteller : STMICROELECTRONICS SGSTS50660-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STGW80V60DF - IGBT, 120 A, 1.85 V, 469 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 120A
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
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STGW80V60DF STGW80V60DF Hersteller : STMicroelectronics 1173dm00079438.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 469000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STGW80V60DF STGW80V60DF Hersteller : STMicroelectronics 1173dm00079438.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 469W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STGW80V60DF Hersteller : STMicroelectronics 1173dm00079438.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 469W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STGW80V60DF Hersteller : STMicroelectronics en.DM00079438.pdf STGW80V60DF THT IGBT transistors
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