STGW80V60DF STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 120A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Exposed Pad
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/220ns
Switching Energy: 1.8mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 448 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 469 W
auf Bestellung 423 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 8.98 EUR |
| 10+ | 6.88 EUR |
| 30+ | 6.26 EUR |
| 120+ | 5.72 EUR |
| 270+ | 5.48 EUR |
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Technische Details STGW80V60DF STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 600V 120A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Exposed Pad, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 60 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 80A, Supplier Device Package: TO-247, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 60ns/220ns, Switching Energy: 1.8mJ (on), 1mJ (off), Test Condition: 400V, 80A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 448 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A, Power - Max: 469 W.
Weitere Produktangebote STGW80V60DF nach Preis ab 4.38 EUR bis 11.49 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||
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STGW80V60DF | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 469W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 3700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGW80V60DF | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGW80V60DF - IGBT, 120 A, 1.85 V, 469 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 469W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: V Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 120A SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
auf Bestellung 942 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGW80V60DF | Hersteller : STMicroelectronics |
STGW80V60DF THT IGBT transistors |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STGW80V60DF | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 469000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STGW80V60DF | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 469W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STGW80V60DF | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 469W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STGW80V60DF | Hersteller : STMicroelectronics |
IGBTs Trench gate V series 600V 80A HiSpd |
Produkt ist nicht verfügbar |