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STGWA25H120F2

STGWA25H120F2 STMicroelectronics

1660898239299046dm0010.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details STGWA25H120F2 STMicroelectronics

Description: IGBT HB 1200V 25A HS TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 29ns/130ns, Switching Energy: 600µJ (on), 700µJ (off), Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 100 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A, Power - Max: 375 W.

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STGWA25H120F2 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00109190.pdf STGWA25H120F2 THT IGBT transistors
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Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/130ns
Switching Energy: 600µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 375 W
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STGWA25H120F2 Hersteller : STMicroelectronics stgw25h120f2-1850806.pdf IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
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