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STGWA30M65DF2AG

STGWA30M65DF2AG STMicroelectronics

stgwa30m65df2ag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 87A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 151 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21.6ns/138ns
Switching Energy: 756µJ (on), 1.057mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 81.6 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 87 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 441 W
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details STGWA30M65DF2AG STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 87A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 151 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247 Long Leads, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 21.6ns/138ns, Switching Energy: 756µJ (on), 1.057mJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 81.6 nC, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 87 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 441 W, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STGWA30M65DF2AG STGWA30M65DF2AG STMicroelectronics stgwa30m65df2ag.pdf IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT
auf Bestellung 166 Stücke:
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1+7.69 EUR
10+5.05 EUR
120+3.77 EUR
510+3.36 EUR
1020+2.87 EUR
2520+2.7 EUR
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STGWA30M65DF2AG STGWA30M65DF2AG STMICROELECTRONICS 4415018.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGWA30M65DF2AG - IGBT, AEC-Q101, 87 A, 1.6 V, 441 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Verlustleistung: 441W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 87A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: M Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STGWA30M65DF2AG stgwa30m65df2ag.pdf
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IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT
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10+5.05 EUR
120+3.77 EUR
510+3.36 EUR
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Description: STMICROELECTRONICS - STGWA30M65DF2AG - IGBT, AEC-Q101, 87 A, 1.6 V, 441 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Verlustleistung: 441W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 87A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: M Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
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usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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