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STGWA40HP65FB2

STGWA40HP65FB2 STMicroelectronics

stgwa40hp65fb2.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/125ns
Switching Energy: 410µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 153 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 72 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 227 W
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Technische Details STGWA40HP65FB2 STMicroelectronics

Description: TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 140 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247 Long Leads, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: -/125ns, Switching Energy: 410µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 153 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 72 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 227 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STGWA40HP65FB2 STGWA40HP65FB2 Hersteller : STMicroelectronics stgwa40hp65fb2-1621287.pdf IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT
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STGWA40HP65FB2 STGWA40HP65FB2 Hersteller : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0008610794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STGWA40HP65FB2 - IGBT, 72 A, 1.55 V, 227 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 72A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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STGWA40HP65FB2 STGWA40HP65FB2 Hersteller : STMicroelectronics stgwa40hp65fb2.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 72A 227000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STGWA40HP65FB2 Hersteller : STMicroelectronics stgwa40hp65fb2.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 72A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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