STGWA40HP65FB2 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/125ns
Switching Energy: 410µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 153 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 72 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 227 W
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 30+ | 8.68 EUR |
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Technische Details STGWA40HP65FB2 STMicroelectronics
Description: TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 140 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247 Long Leads, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: -/125ns, Switching Energy: 410µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 153 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 72 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 227 W.
Weitere Produktangebote STGWA40HP65FB2 nach Preis ab 5.33 EUR bis 11.02 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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STGWA40HP65FB2 | Hersteller : STMicroelectronics |
IGBT Transistors Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT |
auf Bestellung 580 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STGWA40HP65FB2 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGWA40HP65FB2 - IGBT, 72 A, 1.55 V, 227 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HB2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 72A |
auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGWA40HP65FB2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 72A 227000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STGWA40HP65FB2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 72A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STGWA40HP65FB2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 45A; 230W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 45A Power dissipation: 230W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 153nC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| STGWA40HP65FB2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 45A; 230W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 45A Power dissipation: 230W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 153nC Kind of package: tube |
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