STGWA40IH65DF STMicroelectronics
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 58+ | 3.11 EUR |
| 65+ | 2.67 EUR |
| 100+ | 2.44 EUR |
| 600+ | 2.26 EUR |
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Technische Details STGWA40IH65DF STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247 Long Leads, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: -/210ns, Switching Energy: 190µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 22Ohm, 15V, Gate Charge: 114 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 238 W.
Weitere Produktangebote STGWA40IH65DF nach Preis ab 2.38 EUR bis 3.11 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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STGWA40IH65DF | STMicroelectronics |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 238W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 832 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGWA40IH65DF | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 238W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 238W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 114nC Pulsed collector current: 120A |
auf Bestellung 69 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGWA40IH65DF |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 238W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 238W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 832 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 58+ | 3.11 EUR |
| 65+ | 2.73 EUR |
| 100+ | 2.52 EUR |
| 600+ | 2.38 EUR |
| STGWA40IH65DF |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 238W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 238W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 114nC
Pulsed collector current: 120A
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 238W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 238W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 114nC
Pulsed collector current: 120A
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