STGWA40M120DF3 STMicroelectronics
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 600+ | 3.45 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details STGWA40M120DF3 STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 355 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247 Long Leads, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 35ns/140ns, Switching Energy: 1.03mJ (on), 480µJ (off), Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 125 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 468 W.
Weitere Produktangebote STGWA40M120DF3 nach Preis ab 3.45 EUR bis 10.16 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STGWA40M120DF3 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
STGWA40M120DF3 | Hersteller : STMicroelectronics |
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss |
auf Bestellung 570 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
STGWA40M120DF3 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 355 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247 Long Leads IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 35ns/140ns Switching Energy: 1.03mJ (on), 480µJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 125 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 468 W |
auf Bestellung 389 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
STGWA40M120DF3 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
| STGWA40M120DF3 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||
| STGWA40M120DF3 | Hersteller : STMicroelectronics |
STGWA40M120DF3 THT IGBT transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |